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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.35 no.1, 2022년, pp.44 - 49
오우영 (전남대학교 신화학소재공학과) , 이현용 (전남대학교 화학공학부)
In this paper, we investigated current (I)- and voltage (V)-sweeping properties in a double-stack structure, Ge2Sb2Te5/Ti/W-doped Ge8Sb2Te11, a candidate medium for applications to multilevel phase-change memory. 200-nm-thick and W-doped Ge2Sb2Te5 and W-doped Ge8Sb2Te11 films were deposited on p-typ...
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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