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게이트 하부 식각 구조 및 HfO2 절연층이 도입된 AlGaN/GaN 기반 전계 효과 트랜지스터
AlGaN/GaN Field Effect Transistor with Gate Recess Structure and HfO2 Gate Oxide
원문보기
Korean chemical engineering research = 화학공학, v.60 no.2, 2022년, pp.313 - 319
김유경 (단국대학교 화학공학과) , 손주연 (단국대학교 화학공학과) , 이승섭 (단국대학교 화학공학과) , 전주호 (단국대학교 화학공학과) , 김만경 (단국대학교 화학공학과) , 장수환 (단국대학교 화학공학과)
초록
HfO2을 게이트 산화막으로 갖는 AlGaN/GaN 기반 고이동도 전계효과 트랜지스터(high electron mobility transistor, HEMT)의 노멀리 오프(normally-off) 작동 구현을 위하여 게이트 리세스(gate-recess) 깊이에 따른 소자 특성이 시뮬레이션을 통하여 분석되었다. 전통적인 HEMT 구조, 3 nm의 두께를 갖는 게이트 리세스된 HEMT 구조, 게이트 영역에 AlGaN 층을 갖지 않는 HEMT 구조가 모사되었다. 전통적인 HEMT 구조는 노멀리 온(normally-on) 특성을 나타내었으며, 0 V의 게이트 전압 및 15 V의 드레인 전압 환경에서 0.35 A의 드레인 전류 특성을 나타내었다. 3 nm의 두께를 갖는 게이트 리세스된 HEMT 구조는 2DEG(2-dimensional electron gas) 채널의 전자 농도 감소로 인해, 같은 전압 인가 조건에서 0.15 A의 드레인 전류 값을 보였다. 게이트 영역에 AlGaN 층을 갖지 않는 HEMT 구조는 뚜렷한 노멀리 오프 동작을 나타내었으며, 0 V의 동작전압 값을 확인할 수 있었다.
Abstract
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AlGaN/GaN based HfO2 MOSHEMT (metal oxide semiconductor high electron transistor) with different gate recess depth was simulate to demonstrate a successful normally-off operation of the transistor. Three types of the HEMT structures including a conventional HEMT, a gate-recessed HEMT with 3 nm thick...
주제어
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참고문헌 (15)
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저자의 다른 논문 :
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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