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n-채널 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 OLED 화소회로
An OLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of n-channel OLED·Driving TFT 원문보기

한국정보전자통신기술학회논문지 = Journal of Korea institute of information, electronics, and communication technology, v.15 no.3, 2022년, pp.205 - 210  

정훈주 (School of Electronic Engineering, Kumoh National Institute of Technology)

초록
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본 논문은 OLED 구동 박막 트랜지스터문턱전압 변동에 의한 AMOLED 디스플레이의 휘도 불균일도를 개선하기 위해 n-채널 박막 트랜지스터만을 사용한 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 OLED 화소회로는 6개의 n-채널 박막 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구성하였다. 제안한 OLED 화소회로의 동작은 커패시터 초기화 구간, OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 감지하는 구간, 영상 데이터 전압 기입 구간 및 OLED 발광 구간으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, OLED·구동 박막 트랜지스터의 문턱전압이 1.5±0.3 V 변동 시 제안한 OLED 화소회로는 OLED 전류 1 nA에서 최대 전류 오차가 5.18 %이고 OLED 음극 전압이 0.1 V 상승 시 제안한 OLED 화소회로가 기존 OLED 화소회로보다 OLED·전류 변화가 매우 적었다. 그러므로, 기존 OLED 화소회로보다 제안한 화소회로가 문턱전압 변동 및 OLED 음극 전압 상승에 뛰어난 보상 특성을 가진다는 것을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

A novel OLED pixel circuit is proposed in this paper that uses only n-type thin-film transistors(TFTs) to improve the luminance non-uniformity of the AMOLED display caused by the threshold voltage variation of an OLED driving TFT. The proposed OLED pixel circuit is composed of 6 n-channel TFTs and 2...

주제어

표/그림 (7)

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 논문에서는 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 변동에 의한 각 화소마다 흐르는 OLED 전류의 변동을 줄이고 OLED 음극 전압 상승에 따른 OLED 전류 감소가 적게 일어나는 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 OLED 화소회로는 6개의 n-채널 박막 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구현하였다.
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참고문헌 (9)

  1. Sang-Moo Choi, Oh-Kyong Kwon, and Ho-Kyun Chung, "An Improved Voltage Programmed Pixel Structure for Large Size and High Resolution AM-OLED Displays," SID 04 Digest, pp. 260-263, 2004. 

  2. Hoon-Ju Chung, "A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of n-channel Poly-Si TFTs," The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences, vol. 8, no. 2, pp. 207-212, 2013. 

  3. Hoon-Ju Chung. "A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of p-channel Poly-Si TFTs," The Journal of Korean Institute of Information Technology, vol. 11, no. 3, pp. 19-25, 2013. 

  4. Jun-Seok Na, Seong-Kwan Hong and Oh-kyong Kwon. "A 4410-ppi Resolution Pixel Circuit for High Luminance Uniformity of OLEDoS Microdisplays," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 7, pp. 1026-1032, 2019. 

  5. Jina Bae and Hyoungsik Nam, "Body-Effect-Free OLED-on-Silicon Pixel Circuit Based on Capacitive Division to Extend Data Voltage Range," Electronics vol. 10, no. 19, p. 2351, 2021. 

  6. K.-S. Kang, J.-K. Lee, J.-M. Kang, and S.-Y. Lee, "A Novel Real-Time TFT Threshold Voltage Compensation Method for AM-OLED Using Double Sampling of Source Node Voltage," IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 9, pp. 311-317, 2021. 

  7. James L. Sanford and Frank R. Libsch, "TFT AMOLED pixel circuits and driving methods," SID 03 Digest, pp. 10-13, 2003. 

  8. Tohru Saitoh, Tomohiko Oda, Arinobu Kanegae, Yoshiharu Hidaka and Kazunori Komori, "Backplane Process Technology for AMOLEDs with Bottom-Gate TFTs and Laser Annealing," SID 2012 Digest, pp. 191-194, 2012. 

  9. Y. He, R. Hattori, and J. Kanicki, "Current-Source a-Si:H Thin-Film Transistor Circuit for Active-Matrix Organic Light-Emitting Displays," IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, Vol 21, No. 12, pp. 590-592, 2000. 

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