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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.36 no.2, 2023년, pp.125 - 128
오민정 (한국공학대학교 신소재공학과) , 송지나 (한국공학대학교 신소재공학과) , 강슬기 (한국공학대학교 신소재공학과) , 김보중 (한국공학대학교 신소재공학과) , 윤창번 (한국공학대학교 신소재공학과)
Recently, as the process of the MOS device becomes more detailed, and the degree of integration thereof increases, many problems such as leakage current due to an increase in electron tunneling due to the thickness of SiO2 used as a gate oxide have occurred. In order to overcome the limitation of Si...
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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