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NTIS 바로가기접착 및 계면 = Journal of adhesion and interface, v.24 no.2, 2023년, pp.60 - 63
최여진 (금오공과대학교 신소재공학부) , 백승문 (금오공과대학교 신소재공학부) , 이유나 (금오공과대학교 신소재공학부) , 안성진 (금오공과대학교 신소재공학부)
The AlGaN/GaN heterostructure has high electron mobility due to the two-dimensional electron gas (2-DEG) layer, and has the characteristic of high breakdown voltage at high temperature due to its wide bandgap, making it a promising candidate for high-power and high-frequency electronic devices. Desp...
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