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[국내논문] Guard Ring 구조에 따른 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 SBDs의 전기적 특성 비교
Comparison of Electrical Properties of β-Gallium Oxide (β-Ga2O3) Power SBDs with Guard Ring Structures

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.37 no.2, 2024년, pp.208 - 214  

이훈기 (한국전자통신연구원 양자센서연구그룹) ,  조규준 (한국전자통신연구원 RF) ,  장우진 (한국전자통신연구원 RF) ,  문재경 (한국전자통신연구원 양자센서연구그룹)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This reports the electrical properties of single-crystal β-gallium oxide (β-Ga2O3) vertical Schottky barrier diodes (SBDs) with a different guard ring structure. The vertical Schottky barrier diodes (V-SBDs) were fabricated with two types guard ring structures, one is with metal deposi...

주제어

#Gallium oxide ( $Ga_2O_3$)   #Schottky barrier diode (SBD)   #Guard ring   #Specific on-resistance ( $R_{on,sp}$)   #Series resistance ( $R_s$)   #Breakdown voltage  

표/그림 (5)

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