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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.12 no.7, 2012년, pp.5297 - 5302
Sung, Kunsik , Kim, Kwangsik , Won, Taeyoung
In this paper, we discuss the breakdown characteristics of an LDMOSFET (Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure for the optimization of engineering parameters such as the gap between the DEEP N-WELL and the source region and the doping concentration of th...
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