[논문]Demonstration of broadband radio frequency sensing: Empirical polysilicon etch rate estimation in a Lam 9400 etch tool

Garvin, Craig; Grizzle, J. W.

doi:10.1116/1.582343

Demonstration of broadband radio frequency sensing: Empirical polysilicon etch rate estimation in a Lam 9400 etch tool

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, v.18 no.4, 2000년, pp.1297 - 1302

Garvin, Craig (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave, Ann Arbor, Michigan 48109-2122) , Grizzle, J. W. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave, Ann Arbor, Michigan 48109-2122)

Abstract ▼ AI-Helper

The sensitivity of a novel broad frequency band (1-2.25 GHz) radio frequency sensing system to plasma etching process conditions is demonstrated. This is accomplished by using the sensing system to estimate polysilicon etch rate in a Lam 9400 etch tool. A designed experiment varying physical and chemical reactive ion etching regimes was performed with five repetitions at each experimental point. A model relating broadband sensor response to etch rate was regressed using four repetitions of the data and validated on the fifth. Two representations of the broadband data were considered separately when regressing the models, with subset selection used in each case to choose the best predictor variables. In one representation, the sensor data was considered as a vector of 402 real numbers corresponding to magnitude and phase of reflection coefficient at each of 201 frequencies, resulting in an R2 of etch rate estimate of 0.997. In the other, the broadband response was parameterized on the basis of a multimodal cavity resonance model. The inferred parameters of natural frequency, quality factor and resistance were then used as the predictor variables for regression, resulting in an R2 of 0.962.

참고문헌 (29)

J. Vac. Sci. Technol. A 17 1377 1999 10.1116/1.581823

상세보기
IEEE Trans. Plasma Sci. 23 1006 1995 10.1109/27.476490

상세보기
J. Appl. Phys. 85 3966 1999 10.1063/1.370298

상세보기
IBM J. Res. Dev. 23 3 1979 10.1147/rd.231.0003

상세보기
J. Appl. Phys. 69 3455 1991 10.1063/1.348530

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. A 8 916 1990
J. Appl. Phys. 79 3445 1996 10.1063/1.361392

상세보기
Solid State Technol. 42 103 1999

상세보기
J. Appl. Phys. 23 1028 1952 10.1063/1.1702340

상세보기
Lawrence Radiation Lab Report 5 238 1955
J. Appl. Phys. 35 3436 1964 10.1063/1.1713246

상세보기
J. Appl. Phys. 58 1344 1985 10.1063/1.336105

상세보기
J. Appl. Phys. 57 4386 1985 10.1063/1.335458

상세보기
J. Appl. Phys. 66 1618 1989 10.1063/1.344375

상세보기
Plasma Chem. Plasma Process. 11 357 1991 10.1007/BF01458916

상세보기
J. Electrochem. Soc. 139 907 1992 10.1149/1.2069323

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. A 14 901 1996
IEEE Trans. Semicond. Manuf. 10 52 1997 10.1109/66.554484

상세보기
J. Vac. Sci. Technol. A 12 1328 1994 10.1116/1.579316

상세보기
Rev. Mod. Phys. 18 441 1946 10.1103/RevModPhys.18.441

상세보기
Phys. Rev. 75 1700 1949 10.1103/PhysRev.75.1700

상세보기

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

Demonstration of broadband radio frequency sensing: Empirical polysilicon etch rate estimation in a Lam 9400 etch tool

Abstract ▼ AI-Helper

참고문헌 (29)

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 URL 링크

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트