[논문]Design of DG MOSFET with Tri-Layered Strained Silicon Channel

Kumar, Kuleen; Khiangte, Lalthanpuii; Sankar Dhar, Rudra

doi:10.1088/1742-6596/1478/1/012002

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[해외논문] Design of DG MOSFET with Tri-Layered Strained Silicon Channel 원문보기

Journal of physics. Conference series, v.1478, 2020년, pp.012002 -

Kumar, Kuleen , Khiangte, Lalthanpuii , Sankar Dhar, Rudra

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe Strained Silicon material concept gained their popularity since the last two decades. Along with that the double gate semiconductor on insulator (DGSOI) MOSFET also came into being with novel material based device being the requirement, hence a strain Silicon (s-Si) material DGSOI device has been developed to be the core of this work. A concise of three layers (s-Si/s-SiGe/s-Si) is deployed in channel region with varied thicknesses, and biaxial strain is thereby inducted. This leads to increase in the mobility of charge due to the inclusion of the strain mechanism in the silicon layers. The additional gate control provides better control of the channel region. Therefore, this new device with three-layered channel resulted in 59.6% enrichment in drain current for 22nm channel length, in comparison to 45nm channel length with minimum leakage current.

참고문헌 (18)

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Journal of Applied Physics Fischetti 92 7320 2002 10.1063/1.1521796

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IEEE Transactions on Nanotechnology Reddy 4 260 2005 10.1109/TNANO.2004.837845

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Physica Status Solidi (B) Khiangte 255 2018 10.1002/pssb.201800034

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Microelectronics Journal Sharma 52 66 2016 10.1016/j.mejo.2016.03.004

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Roy 2018
Khiangte 2017
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Solid-State Electronics Krant 48 947 2004 10.1016/j.sse.2003.12.014

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Solid-State Electronics De 52 1877 2008 10.1016/j.sse.2008.06.046

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