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The growth of HVPE α-Ga2O3 crystals and its solar-blind UV photodetector applications

Materials science in semiconductor processing, v.123, 2021년, pp.105565 -   

Lee, Moonsang (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute) ,  Yang, Mino (Seoul Center, Korea Basic Science Institute Seoul) ,  Lee, Hae-Yong (LumiGNtech Co. Ltd.) ,  Lee, Hyun Uk (Division of Material Analysis and Research, Korea Basic Science Institute) ,  Lee, Hyunhwa (Center for Nanomaterials and Chemical Reactions, Institute for Basic Science (IBS)) ,  Son, Hyungbin (School of Integrative Engineering, Chung-Ang University) ,  Kim, Un Jeong (Imaging Device Laboratory, Samsung Advanced Institute of Technology)

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Abstract While Ga2O3 crystals are considered as the next generation optoelectronic materials, the exploration of HVPE α-Ga2O3 crystals and their use as solar-blind UV photodetector are still insufficient. In this paper, we investigated the structural characterization of HVPE α-Ga2O3 mat...

주제어

참고문헌 (20)

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  15. J. Cryst. Growth Roberts 528 2019 10.1016/j.jcrysgro.2019.125254 Low temperature growth and optical properties of α-Ga2O3 deposited on sapphire by plasma enhanced atomic layer deposition 

  16. ACS Photonics Oh 5 3 1123 2017 10.1021/acsphotonics.7b01486 High responsivity β-Ga2O3 metal-semiconductor-metal solar-blind photodetectors with ultraviolet transparent graphene electrodes 

  17. Jpn. J. Appl. Phys. Oshima 46 11R 7217 2007 10.1143/JJAP.46.7217 Ga2O3 thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy for deep-ultraviolet photodetectors 

  18. J. Electron. Mater. Zhao 46 4 2366 2017 10.1007/s11664-017-5291-5 Growth and characterization of Sn doped β-Ga 2 O 3 thin films and enhanced performance in a solar-blind photodetector 

  19. Nanotechnology Mondal 31 29 2020 10.1088/1361-6528/ab82d4 Extremely low dark current and detection range extension of Ga2O3 UV photodetector using Sn alloyed nanostructures 

  20. Appl. Phys. Lett. Li 98 1 2011 10.1063/1.3536480 Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 

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