[논문]A 10 nm MOSFET concept

doi:10.1016/S0167-9317(00)00530-X

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A 10 nm MOSFET concept

Microelectronic engineering, v.56 no.1/2, 2001년, pp.213 - 219

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractIn the present work we describe a concept for the fabrication of a 10 nm MOSFET. The combination of an epitaxial silicon structure based on SOI with an anisotropic etch allows the definition of ultra-short channel devices. By cutting through a highly doped n++ layer on top of an undoped channel layer using a KOH-etch, source and drain as well as the channel itself are defined in one step. Since the etch produces a V-like groove, an extremely small source/drain separation — defined by the tip region of the V — can be obtained. We claim that even standard optical lithography can be used in principle to generate channels of around 10 nm length. Measured output characteristics on first prototypes indicate the possibility of using the proposed concept to generate functioning MOSFETs with acceptable short-channel effects.

주제어

참고문헌 (18)

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Science Dagata 270 1638 1995 10.1126/science.270.5242.1625

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Appl. Phys. Lett. Minne 66 703 1995 10.1063/1.114105

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Appl. Phys. Lett. Avouris 71 285 1997 10.1063/1.119521

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Appl. Phys. Lett. Appenzeller 77 298 2000 10.1063/1.126956

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Nicollian 1982 MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology
Appl. Phys. Lett. Buchanan 73 1676 1998 10.1063/1.122242

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