[논문]Metal organic vapor phase epitaxy of high-indium-composition InGaN quantum dots towards red micro-LEDs

Yu, Luming; Wang, Lei; Yang, Peilong; Hao, Zhibiao; Yu, Jiadong; Luo, Yi; Sun, Changzheng; Xiong, Bing; Han, Yanjun; Wang, Jian; Li, Hongtao; Wang, Lai

doi:10.1364/ome.465134

[해외논문] Metal organic vapor phase epitaxy of high-indium-composition InGaN quantum dots towards red micro-LEDs 원문보기

Optical materials express, v.12 no.8, 2022년, pp.3225 -

Yu, Luming , Wang, Lei , Yang, Peilong , Hao, Zhibiao , Yu, Jiadong , Luo, Yi , Sun, Changzheng , Xiong, Bing , Han, Yanjun , Wang, Jian , Li, Hongtao , Wang, Lai

Abstract ▼ AI-Helper

Micro-scale light-emitting diodes (micro-LEDs) are regarded as the next generation display technology. Compared to blue and green ones, InGaN-based red micro-LEDs require higher indium composition in their active region, which is quite challenging for material growth. Here, high-indium-composition InGaN quantum dots (QDs) with a density of 3 × 1010 cm-2 are self-assembly grown by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE) based on a precursor-alternate-admittance method. The growth mechanism is systematically studied, and consequently a 613-nm red QDs sample with an internal quantum efficiency (IQE) of 12% is demonstrated. Furthermore, when micro-LEDs based on these red InGaN QDs with a chip size of 1-20 µm are fabricated, an electroluminescence blueshift to yellow and green is observed. The 20-µm and 1-µm micro-LEDs show 4.92% and 1.78% external quantum efficiency (EQE) at 0.3 and 20 A/cm2, respectively. By introducing multiple quantum wells (MQWs) pre-strained layer beneath the QD layers, a 10-µm micro-LED with 638 nm emission wavelength is demonstrated, with a price of reduced EQE to 0.03% at 10 A/cm2.

참고문헌 (32)

Appl. Phys. Lett. Day 99 031116 2011 10.1063/1.3615679

상세보기
Opt. Express Wong 26 21324 2018 10.1364/OE.26.021324

상세보기
Light: Sci. Appl. Huang 9 1 2020 10.1038/s41377-019-0231-1

상세보기
Sci. Rep. Horng 10 1 2020 10.1038/s41598-019-56847-4

상세보기
Opt. Express Oh 26 11194 2018 10.1364/OE.26.011194

상세보기
Opt. Express Wong 28 5787 2020 10.1364/OE.384127

상세보기
Opt. Express Kou Impact of the surface recombination on InGaN/GaN-based blue micro-light emitting diodes 27 A643 2019 10.1364/OE.27.00A643
Sci. Rep. Jiang 5 1 2015 10.9734/JSRR/2015/14076
Science Nakamura 281 956 1998 10.1126/science.281.5379.956

상세보기
IEEE J. Quantum Electron. Li 51 1 2015 10.1109/JQE.2015.2469097

상세보기
Phys. Status Solidi RRL Bulashevich 10 480 2016 10.1002/pssr.201600059

상세보기
Appl. Phys. Lett. Zhuang 116 173501 2020 10.1063/5.0006910

상세보기
Photonics Res. Zhang 8 1671 2020 10.1364/PRJ.402555

상세보기
Appl. Phys. Lett. Chichibu 73 2006 1998 10.1063/1.122350

상세보기
Appl. Sci. Ding 9 1206 2019 10.3390/app9061206

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Mukai 38 3976 1999 10.1143/JJAP.38.3976

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Funato 45 L659 2006 10.1143/JJAP.45.L659

상세보기
Appl. Phys. Express Pasayat 14 011004 2021 10.35848/1882-0786/abd06f

상세보기
Photonics Res. Zhuang 9 1796 2021 10.1364/PRJ.428168

상세보기
Appl. Phys. Lett. Li 120 041102 2022 10.1063/5.0078771

상세보기
Laser Photonics Rev. Wierer Jr 13 1900141 2019 10.1002/lpor.201900141

상세보기
Opt. Express Weng 24 15546 2016 10.1364/OE.24.015546

상세보기
ACS Appl. Mater. Interfaces Wang 11 1228 2019 10.1021/acsami.8b16767

상세보기
IEEE J. Quantum Electron. Frost 49 923 2013 10.1109/JQE.2013.2281062

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Frost 55 032101 2016 10.7567/JJAP.55.032101

상세보기
Jpn. J. Appl. Phys. Lv 52 08J 2013 10.7567/JJAP.52.08JG13

상세보기
Laser Photonics Rev. Wang 15 2000406 2021 10.1002/lpor.202000406

상세보기
Phys. Status Solidi A Zhao 209 1096 2012 10.1002/pssa.201127368

상세보기
J. Appl. Phys. Zhao 110 014311 2011 10.1063/1.3607602

상세보기
Rep. Prog. Phys. Gibart 67 667 2004 10.1088/0034-4885/67/5/R02

상세보기
Physica Status Solidi C Lahmann 2202 2205 2003 10.1109/NUSOD.2004.1345089
Appl. Phys. Express Yu 8 094001 2015 10.7567/APEX.8.094001

상세보기

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 논문명, 저널/프로시딩명, 저자 , 발행년, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, 발행기관 관리번호, 논문명, 대등논문명, 저자 , 저널/프로시딩명, 발행기관, 발행년, 발행언어, 권, 호, 시작페이지, 끝페이지, ISBN, ISSN, 주제분야, 키워드, 초록(한글), 초록(영문), 저자(소속기관)
저장형식	Text(ASCII format) Excel format RefWorks Direct Export RIS format (for Reference Manager, ProCite, EndNote), Scholar's Aids, Mendeley
메일정보	받는사람 (필수) @ 보내는사람 (선택) @ 제목 내용 KISTI 검색결과 이메일 서비스
안내	총 건의 자료가 검색되었습니다. 다운받으실 자료의 인덱스를 입력하세요. (1-10,000) 검색결과의 순서대로 최대 10,000건 까지 다운로드가 가능합니다. 데이타가 많을 경우 속도가 느려질 수 있습니다.(최대 2~3분 소요) 다운로드 파일은 UTF-8 형태로 저장됩니다. 파일의 내용이 제대로 보이지 않을실 때는 웹브라우저 상단의 보기 -> 인코딩 -> 자동선택 여부를 확인하십시오. ~ Text(ASCII format) Excel format

연합인증

[해외논문] Metal organic vapor phase epitaxy of high-indium-composition InGaN quantum dots towards red micro-LEDs 원문보기

Abstract ▼ AI-Helper

참고문헌 (32)

이 논문을 인용한 문헌

관련 콘텐츠

원문 보기

원문 URL 링크

오픈액세스(OA) 유형

이 논문과 함께 이용한 콘텐츠

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

선택된 텍스트