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Fermi level dependent properties of hydrogen in crystalline silicon

Materials science & engineering B, Solid-state materials for advanced technology, v.36 no.1/3, 1996년, pp.112 - 115  

Csaszar, W. (Siemens Corporate Research and Development, ZFE T EP 2, D-81730 Munich, Germany) ,  Endrös, A.L. (Siemens Corporate Research and Development, ZFE T EP 2, D-81730 Munich, Germany)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

AbstractWe present the results of a (D)DLTS investigation of the dissociation of bond-centre hydrogen (H+/0) from substitutional carbon. To vary the Fermi level three different shallow dopant concentrations are used and the annealing is performed under zero and reverse bias conditions over a wide te...

주제어

참고문헌 (23)

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  3. Appl. Phys. Lett. Capizzi 50 918 1987 10.1063/1.98032 

  4. Appl. Phys. Lett. Pantelides 50 995 1987 10.1063/1.97957 

  5. Phys. Rev. B Mathiot 40 I 5867 1989 10.1103/PhysRevB.40.5867 

  6. Phys. Rev. Lett. Zhang 65 2575 1990 10.1103/PhysRevLett.65.2575 

  7. Phys. Rev. B Van de Walle 49 II 14766 1994 10.1103/PhysRevB.49.14766 

  8. Phys. Rev. B Johnson 38 I 1581 1988 10.1103/PhysRevB.38.1581 

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  14. Phys. Rev. B Maric 47 I 3620 1993 10.1103/PhysRevB.47.3620 

  15. Phys. Rev. B Haller 21 4729 1980 10.1103/PhysRevB.21.4729 

  16. Phys. Rev. Lett. Denteneer 62 1884 1989 10.1103/PhysRevLett.62.1884 

  17. Phys. Rev. Lett. Csaszar 73 312 1994 10.1103/PhysRevLett.73.312 

  18. Phys. Rev. Lett. Holm 66 2360 1991 10.1103/PhysRevLett.66.2360 

  19. Smith 87 1959 Semiconductors 

  20. Solid-State Electronics Kimerling 21 1391 1978 10.1016/0038-1101(78)90215-0 

  21. Bourgoin 255 1983 Point Defects in Semiconductors II. Experimental Aspects 

  22. Phys. Rev. B Kimerling 3 427 1971 10.1103/PhysRevB.3.427 

  23. J. Heyman, A.L. Endros and E.E. Haller, unpublished. 

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