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NTIS 바로가기Microelectronic engineering, v.72 no.1/4, 2004년, pp.90 - 95
Bernardini, S (L2MP (Provence Materials and Microelectronics Laboratory), UMR CNRS 6137 IMT, Technopô) , Masson, P (le de Châ) , Houssa, M (teau Gombert 13451 Marseille cedex 20, France)
AbstractCharges trapped within the gate dielectric layer, are known to result in substantial changes in electrical properties of Metal-Insulator-Semiconductor structures. In this paper, we present simulation results of tunnelling transparency for single insulator metal/SiO2/metal structures and doub...
J. Appl. Phys. Yang 83 2327 1998 10.1063/1.366976
IEEE Electron Dev. Lett. Shi 19 388 1998 10.1109/55.720195
IEEE Trans. Electron Dev. Vogel 45 1350 1998 10.1109/16.678572
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IEEE Electron Dev. Lett. Kerber 24 87 2003 10.1109/LED.2003.808844
J. Non-Cryst. Solids Canet 280 116 2001 10.1016/S0022-3093(00)00362-8
IEEE Electron Dev. Lett. Papadas 13 89 1992 10.1109/55.144968
J. Non-Cryst. Solids Plossu 280 103 2001 10.1016/S0022-3093(00)00360-4
ESSDERC Bernardini 589 2003
Appl. Phys. Lett. Houssa 77 1885 2000 10.1063/1.1310635
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