[논문]Prevention of plasma-induced damage during HDP–CVD deposition

Kim, Sang-Yong; Lee, Woo-Sun; Seo, Yong-Jin

doi:10.1016/j.jmatprotec.2003.12.023

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[해외논문] Prevention of plasma-induced damage during HDP–CVD deposition

Journal of materials processing technology, v.147 no.2, 2004년, pp.211 - 216

Kim, Sang-Yong (Fab Division, ANAM Semiconductor Co. Inc., Kyunggi-do 420-130, South Korea) , Lee, Woo-Sun (Department of Electrical Engineering, Chosun University, Kwangju 501-759, South Korea) , Seo, Yong-Jin (Department of Electrical and Electronics Engineering, Daebul University, Youngam, Chonnam-do 526-702, South Korea)

Abstract ▼ AI-Helper

AbstractThe high-density plasma (HDP)–chemical vapor deposition (CVD) process consists of a simultaneous sputter etch and chemical vapor deposition. As the CMOS process continues to scale down to sub-quarter micron technology, the HDP process has been widely used for the gap-fill of small geometry metal spacing in the inter-metal dielectric (IMD) process. However, the HDP–CVD system has some potential problems including plasma-induced damage. Plasma-induced gate oxide damage has become an increasingly important issue for integrated circuit process technology. In this paper, the thin gate oxide charge damage caused by the HDP deposition of IMD layer was studied. As an experimental result, the multiple step of HDP deposition process was prevented the plasma-induced damage by introducing an in situ top SiH4 unbiased liner deposition before conventional deposition.

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참고문헌 (3)

J.P. Carrere, Topographical dependence of charging and new phenomenon during ICP CVD process, in: P2ID Proceedings, 2000, pp. 164-167.
10.1109/PPID.1998.725600 G.S. Hwang, Mechanism of charging damage during interlevel oxide deposition in high density plasma tools, in: P2ID Proceedings, 1998, pp. 164-167.
C.L. Cha, Improved PE CVD pre-metal oxide liner deposition process with low residual charge non-uniformity in film to avoid excessive PID, in: P2ID Proceedings, 2000, pp. 38-41.

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