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A comprehensive study on the FIBL of nanoscale MOSFETs

IEEE transactions on electron devices, v.51 no.10, 2004년, pp.1733 - 1736  

Tsui, Bing-Yue (Dept. of Electron. Eng., Nat. Chiao-Tung Univ., Hsinchu, Taiwan) ,  Chin, Li-Feng

Abstract

Fringing-induced barrier lowering (FIBL) effect on nanoscale MOSFET is comprehensively examined. It is observed that by combining stack gate dielectric, conductive spacer, short sidewall spacer, and minimum gate/drain (G/D) overlap, the Ioff with a dielectric constant of (k) 100 is only 1.6 times higher than that with k=3.9 when the gate length is 25 nm. The fully depleted silicon-on-insulator device shows even better FIBL immunity. It is concluded that although the FIBL effect can not be eliminated, it would not an issue beyond the 45-nm technology node.

참고문헌 (21)

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  21. User s Manual for SUPREM Two-Dimensional Process Simulation 2003 

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