최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Gate Insulator, 2001. IWGI 2001. Extended Abstracts of International Workshop on, 2001, 2001년, pp.206 - 209
Kamata, Y. (Adv. LSI Technol. Lab., Toshiba Corp., Yokohama, Japan) , Ono, M. , Nishiyama, A.
Influences of the elevation of the source/drain extension on the performance of MISFETs with high-K gate dielectrics have been investigated using a device simulation. The phenomena related to high-K gate dielectrics, such as FIBL, ZIBL and FIBS, are enhanced with the extension elevation. However, th...
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.