최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.53 no.3, 2008년, pp.1506 - 1510
Kim, Han-Geon (Department of Electrical Engineering, Inha University, Incheon 402-751) , Cho, Sang-Young (Department of Electrical Engineering, Inha University, Incheon 402-751) , Kim, Young-Kyu (Department of Electrical Engineering, Inha University, Incheon 402-751) , Won, Taeyoung (Department of Electrical Engineering, Inha University, Incheon 402-751)
We report our numerical study of the device performance of an asymmetric poly-silicon gate fin field effect transistor (FinFET) and of a FinFET with a TiN metal gate structure. Our numerical simulation revealed that, compared to the conventional FinFET structure, the asymmetric poly-silicon FinFET s...
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
출판사/학술단체 등이 한시적으로 특별한 프로모션 또는 일정기간 경과 후 접근을 허용하여, 출판사/학술단체 등의 사이트에서 이용 가능한 논문
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.