양극산화알루미늄 (Anodic Aluminum Oxide, AAO) 공정은 나노패턴의 밀도의 크기를 쉽게 조절할 수 있으며, 반도체 기판 위에 용이하게 생성할 수 있다는 장점으로 인해 활발하게 연구되고 있다. AAO를 이용하여 50-500 nm 주기의 다공성 패턴을 쉽게 구현할 수 있지만, 이를 양자점 제작의 주형 (template)으로 사용하기 위해서는 더 작은 주기의 패턴이 요구된다. 본 실험에서는 고밀도 양자점 제작을 위해 1011/㎠ 이상의 패턴밀도를 갖는 정렬된 나노구조를 제작하고자 하였다. 이를 위해 다양한 배합의 H2SO4, H3PO4, CrO3 혼합전해액에서 AAO를 제작하고, 주기 및 정렬도의 변화를 조사하였다. H2SO4 비율이 증가함에 따라 AAO 패턴의 주기가 감소하고, 정렬도가 향상됨을 관측하였다. 또한 양극산화 전압의 감소에 따라 패턴의 주기가 감소하여 고밀도패턴을 구현할 수 있었다. 이를 바탕으로 GaAs 기판 위에 37 nm 주기로 나노패턴이 형성된 SiO2박막을 제작하였다.
양극산화알루미늄 (Anodic Aluminum Oxide, AAO) 공정은 나노패턴의 밀도의 크기를 쉽게 조절할 수 있으며, 반도체 기판 위에 용이하게 생성할 수 있다는 장점으로 인해 활발하게 연구되고 있다. AAO를 이용하여 50-500 nm 주기의 다공성 패턴을 쉽게 구현할 수 있지만, 이를 양자점 제작의 주형 (template)으로 사용하기 위해서는 더 작은 주기의 패턴이 요구된다. 본 실험에서는 고밀도 양자점 제작을 위해 1011/㎠ 이상의 패턴밀도를 갖는 정렬된 나노구조를 제작하고자 하였다. 이를 위해 다양한 배합의 H2SO4, H3PO4, CrO3 혼합전해액에서 AAO를 제작하고, 주기 및 정렬도의 변화를 조사하였다. H2SO4 비율이 증가함에 따라 AAO 패턴의 주기가 감소하고, 정렬도가 향상됨을 관측하였다. 또한 양극산화 전압의 감소에 따라 패턴의 주기가 감소하여 고밀도패턴을 구현할 수 있었다. 이를 바탕으로 GaAs 기판 위에 37 nm 주기로 나노패턴이 형성된 SiO2 박막을 제작하였다.
Anodized aluminum oxide (AAO) has been studied actively because of its advantages, such as simple control of the pore distance and compatibility to mass production. Though AAO nanopatterns with periodicities between 50-500 nm have already been made, AAO patterns with small periodicity and high densi...
Anodized aluminum oxide (AAO) has been studied actively because of its advantages, such as simple control of the pore distance and compatibility to mass production. Though AAO nanopatterns with periodicities between 50-500 nm have already been made, AAO patterns with small periodicity and high density are still required for more advanced applications, like a template for the growth of quantum dots. In this paper, we report the fabrication of an AAO nano-pattern with a very high density of more than 1011/㎠. AAO nano-patterns were made with various electrolytes composed of H2SO4, H3PO4, and CrO3 and the pattern periodicity and quality were monitored. With increasing H2SO4, the pattern periodicity decreased, and a more aligned pattern was obtained. A smaller pattern was realized with a reduced anodizing voltage, and it was applied to high-density patterns. As a result, we fabricated a nano-pattern with a periodicity of 37 nm on a GaAs substrate.
Anodized aluminum oxide (AAO) has been studied actively because of its advantages, such as simple control of the pore distance and compatibility to mass production. Though AAO nanopatterns with periodicities between 50-500 nm have already been made, AAO patterns with small periodicity and high density are still required for more advanced applications, like a template for the growth of quantum dots. In this paper, we report the fabrication of an AAO nano-pattern with a very high density of more than 1011/㎠. AAO nano-patterns were made with various electrolytes composed of H2SO4, H3PO4, and CrO3 and the pattern periodicity and quality were monitored. With increasing H2SO4, the pattern periodicity decreased, and a more aligned pattern was obtained. A smaller pattern was realized with a reduced anodizing voltage, and it was applied to high-density patterns. As a result, we fabricated a nano-pattern with a periodicity of 37 nm on a GaAs substrate.
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