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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.53 no.1, 2008년, pp.304 - 308
Vertically well-aligned ZnO nanorods were fabricated on Al2O3 with ZnO homo-buffer layers or GaN interlayers by using a catalyst-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). X-ray diffraction (XRD) measurements demonstrated that, compared with the nanorods grown on the GaN interlayer, a sub...
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