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NTIS 바로가기Microelectronic engineering, v.88 no.7, 2011년, pp.1373 - 1375
Jang, T.Y. (Inha University, 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, Republic of Korea) , Kim, D.H. (Inha University, 253 Yonghyun-dong, Nam-gu, Incheon 402-751, Republic of Korea) , Kim, J. , Chang, J.S. , Jeong, J.K. , Heo, Y.U. , Kim, Y.K. , Choi, C. , Park, H. , Choi, R.
Metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) with various concentrations of La incorporated in Hf-based dielectrics were characterized to evaluate the effect of La on devices' reliability. Compared with the small dependence of positive bias stress instability (PBTI) on st...
IEEE Spectr. Bohr 44 10 29 2007 10.1109/MSPEC.2007.4337663
IEDM Tech. Dig. Mistry 247 2007
IEDM Tech. Dig. Natarajan 941 2008
Microelectron. Eng. Wen 85 2 2008 10.1016/j.mee.2007.05.006
Appl. Phys. Lett. Choi 93 13 133506 2008 10.1063/1.2993335
Appl. Phys. Lett. Alshareef 89 232103 2006 10.1063/1.2396918
IEEE Trans. Device Mater. Rel. Kang 9 2 171 2009 10.1109/TDMR.2009.2020741
Appl. Phys. Lett. Guha 90 092902 2007 10.1063/1.2709642
Appl. Phys. Lett. Park 95 192113 2009 10.1063/1.3264086
Appl. Phys. Lett. Govindarajan 91 062906 2007 10.1063/1.2768002
Appl. Phys. Lett. Kirsch 92 092901 2008 10.1063/1.2890056
P. Sivasubramani, T.S. Boscke, J. Huang, C.D. Young, P.D. Kirsch, M.A. Quevedo-Lopez, S. Govindarajan, B.S. Ju, H.R. Harris, D.J. Lichtenwalner, J.S. Jur, A.I. Kingon, J. Kim, B.E. Gnade, R.M. Wallace, G. Bersuker, B.H. Lee, R. Jammy, Technical Digest of VLSI Symposium, 2007, p. 68.
Appl. Phys. Lett. Iwamoto 92 132907 2008 10.1063/1.2904650
Appl. Phys. Lett. Kita 94 132902 2009 10.1063/1.3110968
Appl. Phys. Lett. Lin 95 012906 2009 10.1063/1.3173814
AIP Conf. Proc. Hauser 449 235 1998
IEDM Tech. Dig. Sato 119 2008
IEDM Tech. Dig. Huang 45 2008
IEEE Electr. Device Lett. Kim 23 10 594 2002 10.1109/LED.2002.803751
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