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NTIS 바로가기Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.34 no.4B, 1995년, pp.2142 - 2146
Sato, Tetsuo , Fujiwara, Nobuo , Yoneda, Masahiro
It is well known that aluminum anisotropic etching with a photoresist mask is accomplished using a sidewall passivation film which is composed of fragments of photoresist sputtered by ion bombardment. As a result, the selectivity of aluminum to photoresist is reduced under such conditions. Under the...
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