[논문]Fabrication of Zinc Oxide Transparent Thin-Film Transistor with ZrO2 Insulating Layer by Sol–Gel Method

Ohya, Yutaka; Kume, Takashi; Ban, Takayuki

doi:10.1143/jjap.44.1919

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Fabrication of Zinc Oxide Transparent Thin-Film Transistor with ZrO2 Insulating Layer by Sol–Gel Method

Japanese journal of applied physics. Part 1, Regular papers, short notes and review papers, v.44 no.4A, 2005년, pp.1919 - 1922

Ohya, Yutaka (Faculty of Engineering, Gifu University) , Kume, Takashi (Faculty of Engineering, Gifu University) , Ban, Takayuki (Faculty of Engineering, Gifu University)

Abstract ▼ AI-Helper

A thin-film transistor consisting of a ZnO active layer and a ZrO2 insulating layer was fabricated on a tin-doped indium oxide sputtered glass substrate as well as on a SiO2/Si wafer. The ZnO and ZrO2 layers were deposited by a sol–gel, dip-coating procedure. The resultant ZrO2 layer was about 150 nm thick and the ZnO layer 70 nm thick. The ZnO layer consisted of a single-grain thickness while the ZrO2 layer consisted of about 10 nm grains and was rather porous. The multilayered film consisting of ZnO/ZrO2/ITO/glass was transparent with 60–85% transmittance in the visible region and exhibited characteristics of a field-effect transistor. The multilayered film of the ZnO/ZrO2/SiO2/Si wafer was also examined and the behavior of the thin-film transistor was confirmed. The ZrO2 layer deposited on the SiO2/Si wafer minimized leakage through the insulating layer.

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참고문헌 (13)

Jpn. J. Appl. Phys. 10.1143/JJAP.23.L280 23 L280 1984

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J. Appl. Phys. 10.1063/1.1367315 89 5720 2001

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Jpn. J. Appl. Phys. 10.1143/JJAP.40.297 40 297 2001

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J. Appl. Phys. 10.1063/1.1534627 93 1624 2003

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J. Phys. D 36 L105 2003 10.1088/0022-3727/36/20/L02

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Jpn. J. Appl. Phys. 10.1143/JJAP.42.L347 42 L347 2003

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Jpn. J. Appl. Phys. 10.1143/JJAP.35.4738 35 4738 1996

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Nature 10.1038/35023243 406 1032 2000

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Key Eng. Mater. 10.4028/www.scientific.net/KEM.169-170.175 169-170 175 1999

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J. Sol-Gel Sci. Tech. 10.1023/A:1008716122654 17 227 2000

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J. Ceram. Soc. Jpn. 10.2109/jcersj.113.220 113 191 2005

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J. Ceram. Soc. Jpn. 10.2109/jcersj.104.296 104 296 1996

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J. Am. Ceram. Soc. 10.1111/j.1151-2916.1996.tb08512.x 79 825 1996

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