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New implementation of high linear LNA using derivative superposition method

Microelectronics journal, v.40 no.1, 2009년, pp.197 - 201  

Han, S. (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Chi, B. ,  Wang, Z.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

New implementation of a high linear low-noise amplifier (LNA) using the improved derivative superposition (DS) method is proposed. The input stage is formed by two transistors connected in parallel. One transistor is biased in the strong inversion region as usual and another one is biased in the mod...

주제어

참고문헌 (8)

  1. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Aparin 53 2 571 2005 10.1109/TMTT.2004.840635 Modified derivative superposition method for linearizing FET low-noise amplifiers 

  2. IEEE Microwave Guided Wave Lett. Webster 6 3 123 1996 10.1109/75.481087 Control of circuit distortion by the derivative superposition method 

  3. IEEE Microwave Guided Wave Lett. Kim 10 9 371 2000 10.1109/75.867854 A new linearization technique for MOSFET RF amplifier using multiple gated transistors 

  4. IEEE J. Solid-State Circuits Kim 39 1 223 2004 10.1109/JSSC.2003.820843 Highly linear receiver front-end adopting MOSFET transconductance linearization by multiple gated transistors 

  5. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. Ganesan 54 12 4079 2006 10.1109/TMTT.2006.885889 A highly linear low-noise amplifier 

  6. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Youn 452 2003 10.1109/ISSCC.2003.1234383 A 2GHz 16dBm IIP3 low noise amplifier in 0.25μm CMOS technology 

  7. IEEE Int. Solid-State Circuits Conf. Ding 162 2001 A +18dBm IIP3 LNA in 0.35μm CMOS 

  8. IEEE Trans. Microwave Wireless Components Lett. Kim 16 4 182 2006 10.1109/LMWC.2006.872131 Post-linearization of cascode CMOS low noise amplifier using folded PMOS IMD sinker 

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