[논문]New Passivating Chemistries for the Deep Etching of Through Silicon Vias

Nicoll, William L.; Eisenbraun, Eric; Gupta, Rahul

doi:10.1109/TSM.2013.2283230

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New Passivating Chemistries for the Deep Etching of Through Silicon Vias

IEEE transactions on semiconductor manufacturing : a publication of the IEEE Components, Hybrids, and Manufacturing Technology Society, the IEEE Electron Devices Society, the IEEE Reliability Society,, v.26 no.4, 2013년, pp.500 - 505

Nicoll, William L. (Coll. of Nanoscale Sci. & Eng., SUNY-Univ. at Albany, Albany, NY, USA) , Eisenbraun, Eric (Coll. of Nanoscale Sci. & Eng., SUNY-Univ. at Albany, Albany, NY, USA) , Gupta, Rahul (Air Liquide-Delaware Res. & Technol. Center, Newark, DE, USA)

Abstract ▼ AI-Helper

This paper investigated a number of environmentally friendly fluorocarbon and hydrofluorocarbon (HFC) gas chemistries for sidewall passivation during time-multiplexed plasma etch processes of through-silicon vias (TSVs). The effect of plasma processing conditions on TSV etch rate, etch selectivity, and mask undercut was examined. The choice of passivating gas on TSV sidewall roughness was studied using atomic force microscopy (AFM). In addition, blanket fluorocarbon films were deposited, etched, and characterized with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) to study the effect of film chemistry on polymer growth and etch rates. We observed that sidewall film deposition rate, sidewall film etch rate, and degree of crosslinking in the passivating film tended to predict results of mask undercut and selectivity. Compared to octafluorocyclobutane (C4F8) processes, recipes using the four test gases generally showed a reduction in mask undercut, an increase in selectivity, and a decrease in sidewall roughness at the cost of reduced silicon etch rate.

참고문헌 (8)

Fundamentals of deep silicon etch saraf 2011
fthenakis 0
Zhang, Da, Kushner, Mark J.. Surface kinetics and plasma equipment model for Si etching by fluorocarbon plasmas. Journal of applied physics, vol.87, no.3, 1060-1069.

상세보기
Plasma Deposition Treatment and Etching of Polymers (Plasma-Materials Interactions) d'agostino 1990 99
Blauw, M. A., Zijlstra, T., van der Drift, E.. Balancing the etching and passivation in time-multiplexed deep dry etching of silicon. Journal of vacuum science & technology. processing, measurement, and phenomena : an official journal of the American Vacuum Society. B, Microelectronics and nanometer structures, vol.19, no.6, 2930-.

상세보기
Labelle, Catherine B., Donnelly, Vincent M., Bogart, Gregory R., Opila, Robert L., Kornblit, Avi. Investigation of fluorocarbon plasma deposition from c-C4F8 for use as passivation during deep silicon etching. Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, vol.22, no.6, 2500-2507.

상세보기
Evaluation of Unsaturated Fluorocarbons for Dielectric Etch Applications chatterjee 2002
Climate Change 2007 The Physical Science Basis Contribution of Working Group I to the Fourth Assessment Report of the Intergovernmental Panel on Climate Change forster 2007 213

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