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고종횡비 구조물의 정밀 제작을 위한 DRIE 식각 마스크
A DRIE Etch Mask for Precision Manufacturing of High-aspect-ratio Structures

大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. B. B, v.42 no.7 = no.394, 2018년, pp.475 - 478  

박우성 (국방과학연구소 제3기술연구본부 4부) ,  안준은 (국방과학연구소 제3기술연구본부 4부)

초록
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본 논문은 큰 잔류응력의 증가 없이 고종횡비의 정밀 구조물을 제작하기 위해 deep-reactive ion etching(DRIE)의 식각 마스크(etch mask)로 감광수지(photoresist, PR)와 산화실리콘(silicon oxide)을 함께 선택적으로 적용한 제작 공정에 대해 다룬다. 제안되는 식각 마스크의 제작은 두 단계로 나뉘는데, 먼저 관성센서에서 픽오프(pick-off)와 같이 구조물에서 중요한 부분을 산화실리콘으로 형성하고, 이어 표준질량(proof mass)과 같이 상대적으로 형상의 정밀도가 덜 중요한 부분을 PR을 이용해 형성된다. DRIE 공정 이후 두 재료의 마스크는 함께 제거된다. 이러한 2종류의 식각 마스크를 적용하여 제작된 디바이스는 기존의 산화실리콘 마스크나 PR 마스크만을 이용해 제작된 디바이스에 비해 각각 상대적으로 감소된 잔류응력과 향상된 패턴 정밀도를 보였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, a fabrication process that utilizes both photoresist (PR) and silicon oxide layer etch masks for deep reactive ion etching (DRIE) is presented for manufacturing high-aspect-ratio silicon structures without severe residual stress. An oxide layer was first deposited, and only the critic...

주제어

참고문헌 (6)

  1. Wu, B., Kumar, A. and Pamarthy, S., 2010, "High Aspect Ratio Silicon Etch: A Review," Journal of Applied Physics, 108, 051101. 

  2. Laermer, F. and Schilp, A., 1993, Method of Anisotropically Etching Silicon, US Patent, US 5,501,983 A. 

  3. MicroChemicals GmbH, 2010, "Dry Etching with Photoresist Masks," Website: http://www.microchemicals.eu/ technical_information 

  4. Park, U., Rhim, J., Jeon, J. U. and Kim, J., 2014, "A Micromachined Differential Resonant Accelerometer Based on Robust Structural Design," Microelectronic Engineering, Vol. 129, pp. 5-11. 

  5. Park, U., An, J. E. and Yoon, S., 2017, "Improvement of Bonding Strength Uniformity in Silicon-on-glass Process by Anchor Design," Trans. Korean Soc. Mech. Eng. B, Vol. 41, No. 6, pp. 423-427. 

  6. Harz, M. and Engelke, H., 1996, "Curvature Changing or Flattening of Anodically Bonded Silicon and Borosilicate Glass," Sensors and Actuators A, Vol. 55, pp. 201-209. 

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