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NTIS 바로가기Thin solid films, v.557, 2014년, pp.237 - 240
Yoshida, N. , Waki, E. , Arai, M. , Yamasaki, K. , Han, J.H. , Takenaka, M. , Takagi, S.
We quantitatively compare density of interface states (Dit) at 4H-SiC/SiO2 interfaces evaluated by the high-low method, the Terman method and the conductance method. The results show that Dit evaluated from the Terman method exhibits the strong measurement temperature dependence and is lower than th...
Appl. Phys. Lett. Okamoto 96 203508 2010 10.1063/1.3432404
Appl. Phys. Lett. Kim 100 082112 2012 10.1063/1.3689766
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J. Appl. Phys. Chen 103 033701 2008 10.1063/1.2837028
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