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NTIS 바로가기Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.15 no.3, 2015년, pp.208 - 212
Seo, J.H. , Yoon, Y.J. , Lee, S. , Lee, J.H. , Cho, S. , Kang, I.M.
In this work, a Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET) has been designed and analyzed. Various studies on III-V compound semiconductor materials for applications in TFET devices have been made and we adopt one of them to perform a physical design for boos...
IEEE Trans. Electron Devices Cho 60 3318 2013 10.1109/TED.2013.2278676
IEEE Trans. Electron Devices Cho 58 4164 2011 10.1109/TED.2011.2167335
IEEE Electron Device Lett. Zhang 27 297 2006 10.1109/LED.2006.871855
Appl. Phys. Lett. Toh 90 263507 2007 10.1063/1.2748366
IEEE Trans. Electron Devices Bhuwalka 52 1541 2005 10.1109/TED.2005.850618
Phys. Rev. Lett. Appenzeller 93 196 2004 10.1103/PhysRevLett.93.196805
Int. Conf. Emerg. Electron. (ICEE) Mallik 1 2012
IEEE Trans. Electron Devices Wang 61 193 2013 10.1109/TED.2013.2289075
IEEE Trans. Electron Devices Asthana 61 479 2014 10.1109/TED.2013.2295238
IEEE Electron Device Lett. Jhan 34 1482 2013 10.1109/LED.2013.2285156
IEEE Trans. Electron Devices Yang 60 4048 2013 10.1109/TED.2013.2287031
Curr. Appl. Phys. Lee 13 1143 2013 10.1016/j.cap.2013.03.012
Curr. Appl. Phys. Cho 12 673 2012 10.1016/j.cap.2011.10.003
Curr. Appl. Phys. Kim 13 2051 2013 10.1016/j.cap.2013.08.013
IEEE Trans. Electron Devices Baravelli 61 178 2014 10.1109/TED.2013.2289739
Electron Device Lett. Sharma 35 1221 2014 10.1109/LED.2014.2365413
J. Nanosci. Nanotechnol. Yoon 14 8136 2014 10.1166/jnn.2014.9882
2012 ATLAS User's Manual
IEEE Trans. Electron Devices Wang 60 4098 2013 10.1109/TED.2013.2287633
IEEE Int. SOI Conf. (SOI) Morita 1 2012
IEEE T. Electron Dev. Cho 58 1388 2011 10.1109/TED.2011.2109724
Streetman 144 2006 Solid State Electronic Devices
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