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[국내논문] Design and analysis of Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET)
Current applied physics : the official journal of the Korean Physical Society, v.15 no.3, 2015년, pp.208 - 212
Seo, J.H. , Yoon, Y.J. , Lee, S. , Lee, J.H. , Cho, S. , Kang, I.M.
Abstract
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In this work, a Si-based arch-shaped gate-all-around (GAA) tunneling field-effect transistor (TFET) has been designed and analyzed. Various studies on III-V compound semiconductor materials for applications in TFET devices have been made and we adopt one of them to perform a physical design for boos...
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- DOI : 10.1016/j.cap.2014.12.013
- Elsevier : 저널 > 논문
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