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3D modeling of dual-gate FinFET 원문보기

Nanoscale research letters, v.7 no.1, 2012년, pp.625 - 625  

Mil’shtein, Samson (Advanced Electronic Technology Center, ECE Department, University of Massachusetts, Lowell, MA, 01854, USA) ,  Devarakonda, Lalitha (Advanced Electronic Technology Center, ECE Department, University of Massachusetts, Lowell, MA, 01854, USA) ,  Zanchi, Brian (Advanced Electronic Technology Center, ECE Department, University of Massachusetts, Lowell, MA, 01854, USA) ,  Palma, John (Advanced Electronic Technology Center, ECE Department, University of Massachusetts, Lowell, MA, 01854, USA)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

The tendency to have better control of the flow of electrons in a channel of field-effect transistors (FETs) did lead to the design of two gates in junction field-effect transistors, field plates in a variety of metal semiconductor field-effect transistors and high electron mobility transistors, and...

주제어

참고문헌 (10)

  1. Hisamoto D Lee W Kedzierski J Takeuchi H Asano K Kuo C Anderson E King T Bokor J Chenming H FinFET - a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm IEEE T Electron Dev 2000 47 12 

  2. Choi YJ Choi BY Kim KR Lee JD Park B-G A new 50 nm n-MOSFET with side-gates for virtual source-drain extensions IEEE T Electron Dev 2002 49 1833 1835 10.1109/TED.2002.803648 

  3. Han S Si C Lee J Shin H 50 nm MOSFET with electrical induced source/drain (S/D) extensions IEEE T Electron Dev 2001 48 2058 2064 10.1109/16.944196 

  4. Ersland P Somisettya S Gila C Mil’shtein S p-HEMT with tailored field Microelectron J 2003 34 359 361 10.1016/S0026-2692(03)00146-0 

  5. Wong H-SP Chan KK Taur Y Self-aligned (top and bottom) double-gate MOSFET with a 25 nm thick silicon channel Technical Digest. International: Dec 7-10 1997;Washington DC 1997 New York: IEEE 427 430 

  6. Mil’shtein S Shaping electric field in heterostructure transistors Microelectron J 2005 36 319 322 10.1016/j.mejo.2005.02.053 

  7. Jurczak M Collaert N Veloso A Hoffmann T Biesemans S Review of FinFET technology Proc. 2009 Int. SOI Conference: Oct 5-8 2009;Foster City,CA 2009 New York: IEEE 1 4 

  8. Yu B Chang L Ahmed S Wang H Bell S Yang C-H Tabery C Ho C Xiang Q King T-J Bokor J Hu C Lin M-R Kyser D FinFET scaling to 10 nm gate length Tech. Dig. 2002 Int. Electron Devices Meeting 2002: Dec 8-11 2002; San Francisco,CA 2002 New York: IEEE 251 254 

  9. Put S Simoen E Jurczak M Van Uffelen M Leroux P Claeys C Influence of fin width on the total dose behavior of p-channel bulk MuGFETs Electron Device Lett 2010 31 243 245 

  10. Mil’shtein S Palma J FinFET with constant transconductance Microelectron Solid-State Electron 2012 1 2 21 25 

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