선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
연합인증
연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
Indium-tin-oxide, free, flexible, nonvolatile memory devices based on graphene quantum dots sandwiched between polymethylsilsesquioxane layers
Organic electronics, v.32, 2016년, pp.115 - 119
Ooi, Poh Choon (Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea) , Lin, Jian (Institute of Optoelectronic Display, Fuzhou University, Fuzhou 350002, PR China) , Kim, Tae Whan (Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, South Korea) , Li, Fushan (Institute of Optoelectronic Display, Fuzhou University, Fuzhou 350002, PR China)
Abstract
AI-Helper
Indium-tin-oxide (ITO) free, nonvolatile memory (NVM) devices based on graphene quantum dots (GQDs) sandwiched between polymethylsilsesquioxane (PMSSQ) layers were fabricated directly on polyethylene terephthalate (PET) substrates by using a solution process technique. Current-voltage (I-V) curves f...
주제어
참고문헌 (27)
-
Science Sekitani 326 1516 2009 10.1126/science.1179963 Organic nonvolatile memory transistors for flexible sensor arrays
-
Adv. Mater. Shen 23 771 2011 10.1002/adma.201003474 Growth of directly transferable In2O3 nanowire mats for transparent thin-film transistor applications
-
Nano Lett. Habisreutinger 14 5561 2014 10.1021/nl501982b Carbon nanotube/polymer composites as a highly stable hole collection layer in perovskite solar cells
-
Carbon Yun 88 26 2015 10.1016/j.carbon.2015.02.061 Nonvolatile memory devices based on Au/graphene oxide nanocomposites with bilateral multilevel characteristics
-
Sci. Rep. Guo 5 2015 Highly conductive transparent organic electrodes with multilayer structures for rigid and flexible optoelectronics
-
Nanotechnology Kim 25 2014 All-solution-processed nonvolatile flexible nano-floating gate memory devices
-
Light Sci. Appl. Guo 3 2014 Metallic nanostructures for light trapping in energy-harvesting devices
-
J. Polym. Sci. B, Polym. Phys. Søndergaard 51 16 2013 10.1002/polb.23192 Roll-to-roll fabrication of large area functional organic materials
-
Nature Chipman 449 2007 A commodity no more
-
Energy Environ. Sci. Alemu 5 9662 2012 10.1039/c2ee22595f Highly conductive PEDOT: PSS electrode by simple film treatment with methanol for ITO-free polymer solar cells
-
ACS Appl. Mater. Interfaces Kim 7 7945 2015 10.1021/am509116s Indium tin oxide-free transparent conductive electrode for GaN-based ultraviolet light-emitting diodes
-
Chem. Commun. Shen 48 3686 2012 10.1039/c2cc00110a Graphene quantum dots: emergent nanolights for bioimaging, sensors, catalysis and photovoltaic devices
-
NPG Asia Mater. Li 5 2013 10.1038/am.2013.38 Enhancing the short-circuit current and power conversion efficiency of polymer solar cells with graphene quantum dots derived from double-walled carbon nanotubes
-
J. Polym. Sci. B Polym. Phys. Braun 41 2622 2003 10.1002/polb.10654 Electronic injection and conduction processes for polymer devices
-
Nano Lett. Son 10 2441 2010 10.1021/nl1006036 Flexible organic bistable devices based on graphene embedded in an insulating poly(methyl methacrylate) polymer layer
-
NPG Asia Mater. Kim 4 2012 10.1038/am.2012.32 Electrical memory devices based on inorganic/organic nanocomposites
-
J. Am. Chem. Soc. Liu 128 4554 2006 10.1021/ja060620l Enabling gate dielectric design for all solution-processed, high-performance, flexible organic thin-film transistors
-
IEEE Electron. Device Lett. Lin 36 1212 2015 10.1109/LED.2015.2480119 Solution-processed, flexible, and transparent non-volatile memory with embedded graphene quantum dots in polymethylsilsesquioxane layers
-
Jpn. J. Appl. Phys. Ooi 53 2014 10.7567/JJAP.53.125001 Transparent and flexible nonvolatile memory using poly(methylsilsesquioxane) dielectric embedded with cadmium selenide quantum dots
-
Proc. Roy. Soc. A Simmons 301 77 1967 Phenomena in thin insulating films new conduction and reversible memory
-
Nanotechnology Son 20 2009 10.1088/0957-4484/20/19/195203 Carrier transport in flexible organic bistable devices of ZnO nanoparticles embedded in an insulating poly(methylmethacrylate) polymer layer
-
Thin Solid Films Liu 414 1 2002 10.1016/S0040-6090(02)00423-6 Characterization of porous silicate for ultra-low k dielectric application
-
Lampert 1970 Current Injection in Solids
-
Sol. Energy Mater. Sol. Cells Tan 77 283 2003 10.1016/S0927-0248(02)00349-5 Current transport in copper indium gallium diselenide solar cells comparing mesa diodes to the full cell
-
Solid State Electron. Abdallah 39 737 1996 10.1016/0038-1101(95)00149-2 The Child-Langmuir law as a model for electron transport in semiconductors
-
J. Appl. Phys. Juan 95 3120 2004 10.1063/1.1646441 Temperature dependence of the current conduction mechanisms in ferroelectric Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 thin films
-
Appl. Phys. Lett. Yamamoto 86 2005 10.1063/1.1866230 Extremely-high-density carrier injection and transport over 12000 A/cm2 into organic thin films
연구과제 타임라인
LOADING...
LOADING...
LOADING...
LOADING...
LOADING...
관련 콘텐츠
원문 URL 링크
- DOI : 10.1016/j.orgel.2016.02.020
- Elsevier : 저널 > 논문
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
연관된 기능
이 논문과 함께 이용한 콘텐츠
- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
- 문의처: helpdesk@kisti.re.kr
- 전화: 080-969-4114
Copyright KISTI. All Rights Reserved.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.