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NTIS 바로가기Journal of the Korean Physical Society, v.69 no.3, 2016년, pp.435 - 438
Kim, Hee-Dong , Yun, Min Ju , Kim, Sungho
In this study, we proposed and demonstrated a self-rectifying property of a silicon nitride (Si3N4)-based resistive random access memory (RRAM) device by employing p-type silicon (p-Si) as the bottom electrode. The RRAM devices consisting of Al/Si3N4/p-Si are fabricated by using a low-pressure chemi...
Adv. Funct. Mater. A. B. K. Chen 22 546 2011 10.1002/adfm.201102208 A. B. K. Chen, B. J. Choi, X. Yang and I. W. Chen, Adv. Funct. Mater. 22, 546 (2011).
IEEE Electron Device Lett. L. Chen 31 356 2010 10.1109/LED.2010.2041183 L. Chen, Y. Xu, Q. Q. Sun, H. Liu, J. J. Gu, S. J. Ding and D. W. Zhang, IEEE Electron Device Lett. 31, 356 (2010).
Adv. Funct. Mater. Y. C. Bae 22 709 2011 10.1002/adfm.201102362 Y. C. Bae, A. R. Lee, J. B. Lee, J. H. Koo, K. C. Kwon, J. G. Park, H. S. Im and J. P. Hong, Adv. Funct. Mater. 22, 709 (2011).
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Nat. Mater. E. Linn 9 403 2010 10.1038/nmat2748 E. Linn, R. Rosezin, C. Kügeler and R. Waser, Nat. Mater. 9, 403 (2010).
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J. Korean Phys. Soc. L. Tang 53 2283 2008 10.3938/jkps.53.2283 L. Tang, P. Zhou, Y. R. Chen, L. Y. Chen, H. B. Lv, T. A. Tang and Y. Y. Lin, J. Korean Phys. Soc. 53, 2283 (2008).
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