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Instability of oxide thin film transistor under electrical-mechanical hybrid stress for foldable display

Microelectronics reliability, v.64, 2016년, pp.109 - 112  

Shin, D. ,  Bae, M.S. ,  Yun, I.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Degradation mechanism of foldable thin film transistors (TFTs) is investigated experimentally by electrical, mechanical and electrical-mechanical hybrid stress experiments. Mechanical and electrical stress environment was set for foldable TFTs and the degradation effect according to the applied stre...

주제어

참고문헌 (12)

  1. Nature Nomura 432 488 2004 10.1038/nature03090 Room­temperature fabrication of transparent flexible thin­film transistors using amorphous oxide semiconductors 

  2. Heremans 2015 Mechanical and Electronic Properties of Thin-Film Transistors on Plastic, and their Integration in Flexible Electronic Applications, Advanced Materials 

  3. Appl. Phys. Lett. Jeong 93 123508 2008 10.1063/1.2990657 Origin of threshold voltage instability in indium-gallium-zinc oxide thin film transistors 

  4. Appl. Phys. Lett. Cross 89 263513 2006 10.1063/1.2425020 Investigating the stability of zinc oxide thin film transistors 

  5. IEEE Trans. Electron Devices Munzenrieder 58 2041 2011 10.1109/TED.2011.2143416 The effects of mechanical bending and illumination on the performance of flexible IGZO TFTs 

  6. D. Shin, S.M. Lee, I. Yun, Modeling and simulation of flexible oxide thin film transistors, International Electron Devices and Materials Symposia (IEDMS) 2014, Taiwan (unpublished) 

  7. Neamen 486 2003 Semiconductor Physics and Devices 

  8. J. Appl. Phys. Hoffman 95 5813 2004 10.1063/1.1712015 ZnO­channel thin film transistors: channel mobility 

  9. Appl. Phys. Lett. Suresh 92 033502 2008 10.1063/1.2824758 Bias stress stability of indium gallium zinc oxide channel based transparent thin film transistors 

  10. IEEE Trans. Electron Devices Tripathi 62 4063 2015 10.1109/TED.2015.2494694 Electrical characterization of flexible InGaZnO transistors and 8-b transponder chip down to a bending radius of 2mm 

  11. Appl. Phys. Lett. Dang 74 3890 1999 10.1063/1.124214 Measurement of drift mobility in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor 

  12. Van Zeghbroeck 2011 Principles of Electronic Devices 

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