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NTIS 바로가기Journal of nanoscience and nanotechnology, v.16 no.10, 2016년, pp.10369 - 10372
Choi, Pyungho , Kim, Dongsoo , Kim, Sangsub , Kim, Hyunwoo , Choi, Byoungdeog
In this study, we characterized the interface and oxide charge generation in p-MOSFETs under negative bias temperature stress (NBTS). Thin (2.5 nm) and thick (6 nm) gate oxide MOSFETs were utilized to induce direct and Fowler-Nordheim (FN) tunneling, respectively. The threshold voltage and subthresh...
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