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On the Etching Mechanisms of SiC Thin Films in CF4/CH2F2/N2/Ar Inductively Coupled Plasma
Plasma chemistry and plasma processing, v.37 no.2, 2017년, pp.489 - 509
Lee, Jongchan , Efremov, Alexander , Kim, Kwangsoo , Kwon, Kwang-Ho
Abstract
AI-Helper
Etching mechanisms of SiC thin films in CF4/CH2F2/N-2/Ar inductively coupled plasmas were studied based on the correlations between measured SiC etching rates and model-predicted fluxes of plasma active species. Plasma chemistry was analyzed using Langmuir probe diagnostics, optical emission spectro...
참고문헌 (61)
-
IEEE Electron Dev Lett KZ Xie 17 142 1996 10.1109/55.485194 Xie KZ, Zhao JH, Flemish JR, Burke T, Buchwald WR, Lorenzo G, Singh H (1996) IEEE Electron Dev Lett 17:142
-
IEEE Trans Electron Devices BJ Baliga 43 1717 1996 10.1109/16.536818 Baliga BJ (1996) IEEE Trans Electron Devices 43:1717
-
Mater Sci Eng, B VE Chelnokov 11 103 1992 10.1016/0921-5107(92)90200-S Chelnokov VE (1992) Mater Sci Eng, B 11:103
-
J Phys D Appl Phys NG Wright 40 6345 2007 10.1088/0022-3727/40/20/S17 Wright NG, Horsfall AB (2007) J Phys D Appl Phys 40:6345
-
Mater Res Soc Symp Proc TP Chow 423 9 1996 10.1557/PROC-423-9 Chow TP, Ghezzo M (1996) Mater Res Soc Symp Proc 423:9
-
Solid-State Electron JB Casady 39 1409 1996 10.1016/0038-1101(96)00045-7 Casady JB, Johnson RW (1996) Solid-State Electron 39:1409
-
J Vac Sci Technol, A G McDaniel 15 885 1997 10.1116/1.580726 McDaniel G, Lee JW, Lambers ES, Pearton SJ, Holloway PH, Ren F, Grow JM, Bhaskaran M, Wilson RG (1997) J Vac Sci Technol, A 15:885
-
Solid-State Electron JJ Wang 42 2283 1998 10.1016/S0038-1101(98)00226-3 Wang JJ, Lambers ES, Pearton SJ, Ostling M, Zetterling C-M, Grow JM, Ren F, Shul RJ (1998) Solid-State Electron 42:2283
-
J Electron Mater J Hong 28 196 1999 10.1007/s11664-999-0013-2 Hong J, Shul RJ, Zhang L, Lester LF, Cho H, Hahn YB, Hays DC, Jung KB, Pearton SJ, Zetterling C-M, Östling M (1999) J Electron Mater 28:196
-
Appl Phys Lett R Padiyath 58 1053 1991 10.1063/1.104420 Padiyath R, Wright RL, Chaudhry MI, Babua SV (1991) Appl Phys Lett 58:1053
-
J Electrochem Soc L Cao 145 3609 1998 10.1149/1.1838850 Cao L, Li B, Zhao JH (1998) J Electrochem Soc 145:3609
-
J Vac Sci Technol, A A Efremov 29 06B103 2011 10.1116/1.3655561 Efremov A, Kang S, Kwon K-H, Choi WS (2011) J Vac Sci Technol, A 29:06B103
-
S Wolf 2000 Silicon processing for the VLSI Era. Vol. 1. Prosess technology Wolf S, Tauber RN (2000) Silicon processing for the VLSI Era. Vol. 1. Prosess technology. Lattice Press, New York
-
T Sugano 1990 Applications of plasma processes to VLSI technology Sugano T (1990) Applications of plasma processes to VLSI technology. Wiley, New York
-
JW Coburn 1982 Plasma etching and reactive ion etching Coburn JW (1982) Plasma etching and reactive ion etching. AVS Monograph Series, New York
-
Lide DR (1998-1999) Handbook of chemistry and physics. CRC Press, New York
-
B Chapman 287 1980 Glow discharge processes: Sputtering and plasma etching Chapman B (1980) Glow discharge processes: Sputtering and plasma etching. Wiley, New York, p 287
-
J Vac Sci Technol JW Coburn 16 391 1979 10.1116/1.569958 Coburn JW, Winters HF (1979) J Vac Sci Technol 16:391
-
J Vac Sci Technol, A M-C Chuang 8 1969 1990 10.1116/1.576790 Chuang M-C, Coburn JW (1990) J Vac Sci Technol, A 8:1969
-
MA Lieberman 1994 Principles of plasma discharges and materials processing Lieberman MA, Lichtenberg AJ (1994) Principles of plasma discharges and materials processing. Wiley, New York
-
J Vac Sci Technol, A X Hua 21 1708 2003 10.1116/1.1598973 Hua X, Wang X, Fuentevilla D, Oehrlein GS, Celii FG, Kirmse KHR (2003) J Vac Sci Technol, A 21:1708
-
J Cryst Growth JK Seo 326 183 2011 10.1016/j.jcrysgro.2011.01.093 Seo JK, Ko K-H, Choi WS, Park M, Lee JH, Yi J-S (2011) J Cryst Growth 326:183
-
J Vac Sci Technol A Efremov A29 06B103 2011 10.1116/1.3655561 Efremov A, Kang S, Kwon K-H, Choi WS (2011) J Vac Sci Technol A29:06B103
-
J Nanosci Nanotechnol J Son 14 9354 2014 Son J, Efremov A, Yun SJ, Yeom GY, Kwon K-H (2014) J Nanosci Nanotechnol 14:9354
-
Phys Rev EO Johnson 80 58 1950 10.1103/PhysRev.80.58 Johnson EO, Malter L (1950) Phys Rev 80:58
-
M Sugavara 1998 10.1093/oso/9780198562870.001.0001 Plasma etching: fundamentals and applications Sugavara M (1998) Plasma etching: fundamentals and applications. Oxford University Press, New York
-
J Electrochem Soc A Efremov 155 D777 2008 10.1149/1.2993160 Efremov A, Min N-K, Choi B-G, Baek K-H, Kwon K-H (2008) J Electrochem Soc 155:D777
-
Vacuum AM Efremov 75 133 2004 10.1016/j.vacuum.2004.01.077 Efremov AM, Kim D-P, Kim C-I (2004) Vacuum 75:133
-
J Phys D Appl Phys F Gaboriau 39 1830 2006 10.1088/0022-3727/39/9/019 Gaboriau F, Cartry G, Peignon M-C, Cardinaud Ch (2006) J Phys D Appl Phys 39:1830
-
J Appl Phys LDB Kiss 71 3186 1992 10.1063/1.350961 Kiss LDB, Nicolai JP, Conner WT, Sawin HH (1992) J Appl Phys 71:3186
-
Plasma Sci Technol H Song 7 2669 2005 10.1088/1009-0630/7/1/016 Song H, Yu X, Zhaoyuan N (2005) Plasma Sci Technol 7:2669
-
Plasma Sources Sci Technol J Jenq 3 154 1994 10.1088/0963-0252/3/2/005 Jenq J, Ding J, Taylor JW, Hershkowitz N (1994) Plasma Sources Sci Technol 3:154
-
J Appl Phys E Cal de la 73 948 1993 10.1063/1.353308 de la Cal E, Tafalla D, Tabares FL (1993) J Appl Phys 73:948
-
J Appl Phys J Ma 105 043302 2009 10.1063/1.3078032 Ma J, Ashfold MNR, Mankelevich YA (2009) J Appl Phys 105:043302
-
Thin Solid Films I Chun 579 136 2015 10.1016/j.tsf.2015.02.060 Chun I, Efremov A, Yeom GY, Kwon K-H (2015) Thin Solid Films 579:136
-
Jpn J Appl Phys T Kimura 47 8546 2008 10.1143/JJAP.47.8546 Kimura T, Hanaki K (2008) Jpn J Appl Phys 47:8546
-
J Phys D Appl Phys G Kokkoris 41 195211 2008 10.1088/0022-3727/41/19/195211 Kokkoris G, Goodyear A, Cooke M, Gogolides E (2008) J Phys D Appl Phys 41:195211
-
J Nanosci Nanotechnol J Lee 10 8340 2015 10.1166/jnn.2015.11256 Lee J, Efremov A, Yeom GY, Lim N, Kwon K-H (2015) J Nanosci Nanotechnol 10:8340
-
Plasma Process Polym JP Barz 8 409 2011 10.1002/ppap.201000095 Barz JP, Oehr C, Lunk A (2011) Plasma Process Polym 8:409
-
Plasma Sources Sci Technol D Bose 12 225 2003 10.1088/0963-0252/12/2/314 Bose D, Rao MVVS, Govindan TR, Meyyappan M (2003) Plasma Sources Sci Technol 12:225
-
J Vac Sci Technol, A P Ho 19 2344 2001 10.1116/1.1387048 Ho P, Johannes JE, Buss RJ, Meeks E (2001) J Vac Sci Technol, A 19:2344
-
J Electrochem Soc K-H Kwon 157 H574 2010 10.1149/1.3362943 Kwon K-H, Efremov A, Kim M, Min NK, Jeong J, Kim K (2010) J Electrochem Soc 157:H574
-
J Nanosci Nanotechnol N Lim 14 9670 2014 10.1166/jnn.2014.10171 Lim N, Efremov A, Yeom GY, Kwon K-H (2014) J Nanosci Nanotechnol 14:9670
-
J Appl Phys T Kimura 100 063303 2006 10.1063/1.2345461 Kimura T, Noto M (2006) J Appl Phys 100:063303
-
J Phys D Appl Phys M Mao 43 205201 2010 10.1088/0022-3727/43/20/205201 Mao M, Bogaerts A (2010) J Phys D Appl Phys 43:205201
-
J Appl Phys SF Yoon 91 40 2002 10.1063/1.1421038 Yoon SF, Tan KH, Ahn J (2002) J Appl Phys 91:40
-
Phys Rev A DA Erwin 72 052719 2005 10.1103/PhysRevA.72.052719 Erwin DA, Kunc JA (2005) Phys Rev A 72:052719
-
Janev RK, Reiter D (2002) FZJ Report Juel-3966
-
J Appl Phys MJ Kushner 88 3231 2000 10.1063/1.1289076 Kushner MJ, Zhang D (2000) J Appl Phys 88:3231
-
Jpn J Appl Phys H Kazumi 34 2125 1995 10.1143/JJAP.34.2125 Kazumi H, Tago K (1995) Jpn J Appl Phys 34:2125
-
J Vac Sci Technol, A X Li 20 2052 2002 10.1116/1.1517256 Li X, Hua X, Ling L, Oehrlein GS, Barela M, Anderson HM (2002) J Vac Sci Technol, A 20:2052
-
J Korean Phys Soc HK Lee 54 1816 2008 Lee HK, Chung KS, Yu JS (2008) J Korean Phys Soc 54:1816
-
Ho P, Johannes JE, Buss RJ, Meeks E (2001) SANDIA report SAND2001-1292
-
Thin Solid Films AM Efremov 471 328 2005 10.1016/j.tsf.2004.06.126 Efremov AM, Kim D-P, Kim C-I (2005) Thin Solid Films 471:328
-
Vacuum AM Efremov 75 321 2004 10.1016/j.vacuum.2004.03.013 Efremov AM, Kim D-P, Kim KT, Kim C-I (2004) Vacuum 75:321
-
Microelectron Eng AM Efremov 71 54 2004 10.1016/j.mee.2003.09.001 Efremov AM, Kim D-P, Kim KT, Kim C-I (2004) Microelectron Eng 71:54
-
J Vac Sci Technol, A W Jin 20 2106 2002 10.1116/1.1517993 Jin W, Vitale SA, Sawin HH (2002) J Vac Sci Technol, A 20:2106
-
J Vac Sci Technol, B DC Gray 11 1243 1993 10.1116/1.586925 Gray DC, Tepermeister I, Sawin HH (1993) J Vac Sci Technol, B 11:1243
-
Plasma Chem Plasma Proc C Lee 16 99 1996 10.1007/BF01465219 Lee C, Graves DB, Lieberman MA (1996) Plasma Chem Plasma Proc 16:99
-
Plasma Sci AM Efremov 32 1344 2004 10.1109/TPS.2004.828413 Efremov AM, Kim DP, Kim C-I, Trans IEEE (2004) Plasma Sci 32:1344
-
Surf Coat Technol A-P Prskalo 204 2081 2010 10.1016/j.surfcoat.2009.09.043 Prskalo A-P, Schmauder S, Ziebert C, Ye J, Ulrich S (2010) Surf Coat Technol 204:2081
연구과제 타임라인
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