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NTIS 바로가기Microelectronic engineering, v.179, 2017년, pp.7 - 12
Lee, M.J. , Lee, S.J. , Lee, W. , Myoung, J.M.
A simple approach has been taken to improve the resistance to the repeated bending and unbending of amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs). Splitting a conventional thin film active layer of a-IGZO into numerous parallel quasi-one-dimensional sub-channels at microm...
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