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Bias and illumination instability analysis of solution-processed a-InGaZnO thin-film transistors with different component ratios
Thin solid films, v.645, 2018년, pp.154 - 159
Kim, Ji-Hwan (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Park, Eung-Kyu (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Kim, Min Su (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Cho, Hyeong Jun (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Lee, Dong-Hoon (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Kim, Jin-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University) , Khang, Yoonho (Samsung Display Co., Ltd.) , Park, KeeChan (Department of Electronic Engineering, Konkuk University) , Kim, Yong-Sang (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University)
Abstract
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Abstract We investigated the effect of In and Zn component ratios on an amorphous indium‑gallium‑zinc-oxide (a-IGZO) layer in oxide thin-film transistors (TFTs). Different types of stress including negative bias, positive bias, negative bias illumination stress, positive bias illuminati...
주제어
참고문헌 (25)
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- DOI : 10.1016/j.tsf.2017.09.054
- Elsevier : 저널 > 논문
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- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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