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Multiple parallel channels for improved resistance to repeated bending and unbending of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors
Microelectronic engineering, v.179, 2017년, pp.7 - 12
Lee, M.J. , Lee, S.J. , Lee, W. , Myoung, J.M.
Abstract
AI-Helper
A simple approach has been taken to improve the resistance to the repeated bending and unbending of amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs). Splitting a conventional thin film active layer of a-IGZO into numerous parallel quasi-one-dimensional sub-channels at microm...
주제어
참고문헌 (20)
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2005 Flexible Flat Panel Displays
연구과제 타임라인
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원문 URL 링크
- DOI : 10.1016/j.mee.2017.04.008
- Elsevier : 저널 > 논문
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- [본원] 대전광역시 유성구 대학로 245 한국과학기술정보연구원
- [분원] 서울시 동대문구 회기로 66 한국과학기술정보연구원
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