최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기Journal of semiconductors, v.36 no.1, 2015년, pp.014009 -
Dai, Weinan , Zhu, Jing , Sun, Weifeng , Du, Yicheng , Huang, Keqin
초록이 없습니다.
Antoniou, M., Udrea, F., Bauer, F.. The Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor Optimization and Modeling. IEEE transactions on electron devices, vol.57, no.3, 594-600.
2006 10.1109/TED.2006.870278 53 884 0018-9383 IEEE Trans Electron Devices Oh K H
Bauer, Friedhelm D.. The super junction bipolar transistor: a new silicon power device concept for ultra low loss switching applications at medium to high voltages. Solid-state electronics, vol.48, no.5, 705-714.
Antoniou, M, Udrea, F, Bauer, F, Nistor, I.
The Soft
Bauer, F., Nistor, I., Mihaila, A., Antoniou, M., Udrea, F.. Superjunction IGBT Filling the Gap Between SJ MOSFET and Ultrafast IGBT. IEEE electron device letters : a publication of the IEEE Electron Devices Society, vol.33, no.9, 1288-1290.
2012 10.1088/1674-4926/33/11/114002 33 114002 Journal of Semiconductors Wang Bo
2013 10.1088/1674-4926/34/12/124001 34 124001 Journal of Semiconductors Li Binghua
2011 31 545 Research and Process of SSE Wang Yongwei
2007 101 Antoniou M
2010 10.1088/1674-4926/31/11/114008 31 114008 Journal of Semiconductors Ye Jun
Tee, Elizabeth Kho Ching, Antoniou, M., Udrea, F., Holke, A., Pilkington, S. J., Pal, D. K., Yew, N. L., Abidin, W. A. B. W. Z.. 200 V Superjunction N-Type Lateral Insulated-Gate Bipolar Transistor With Improved Latch-Up Characteristics. IEEE transactions on electron devices, vol.60, no.4, 1412-1415.
2010 10.1088/1674-4926/31/8/084002 31 084002 Journal of Semiconductors Li Zehong
1994 177 Thapar N
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.