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NTIS 바로가기Advanced materials research : AMR, v.658, 2013년, pp.112 - 115
Kwon, Hyuk Min (Chungnam National University) , Kwon, Sung Kyu (Chungnam National University) , Choi, Woon Il (Chungnam National University) , Sung, Seung Yong (Chungnam National University) , Shin, Jong Kwan (Chungnam National University) , Kang, Chang Yong (International SEMATECH, Inc.) , Jammy, Raj (International SEMATECH, Inc.) , Lee, Hi Deok (Chungnam National University)
RF characteristics of metal-insulator-metal (MIM) capacitors with SiO2/HfO2/SiO2 (SHS) were investigated using an equivalent circuit model that is associated with the main impedance ZMIM.cap and the substrate-related conductance Ysub. However, the parasitic capacitance in Ysub was lower than that of...
C. T. Black, K. W. Guarini, Y. Zhang, H. Kim, J. Benedict, E. Sikorski, I. V. Babich, and K. R. Milkove: IEEE Electron Device Lett., vol. 25 (2004), p.622-624. 10.1109/led.2004.834637
10.1109/LED.2002.1004230 H. Hu, C. Zhu, Y. F. Lu, M. F. Li, B. J. Cho, and W. K. Choi: IEEE Electron Device Lett., vol. 23 (2002), p.514-516.
10.1109/55.992833 S. B. Chen, C. H. Lai, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu: IEEE Electron Device Lett., vol. 23 (2002), p.185-187.
H. M. Kwon, I. S. Han, S. U. Park, J. D. Bok, Y. J. Jung, H. S. Shin, C. Y. Kang, B. H. Lee, R. Jammy, G. W. Lee, and H. D. Lee: Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50 (2011), p. 04DD02-1-04DD02-3. 10.7567/jjap.50.04dd02
T. Ishikawa, D. Kodama, Y. Matsui, M. Hiratani, T. Furusawa, and D. Hisamoto: in IEDM Tech. Dig. (2002).
10.1109/LED.2002.808159 X. Yu, C. Zhu, H. Hu, A. Chin, M. F. Li, B. J. Cho, D. -L. Kwong, F. D. Foo, and M. B. Yu: IEEE Electron Device Lett., vol. 24 (2003), p.63-65.
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