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[해외논문] Thermal dissociation of CO molecules and carbon incorporation on the Si(111)-(7 × 7) surface

Surface science, v.696, 2020년, pp.121589 -   

Seo, Eonmi (Korea Research Institute of Standards and Science) ,  Eom, Daejin (Korea Research Institute of Standards and Science) ,  Shin, Eun-Ha (Department of Applied Physics and Institute of Advanced Materials and Systems, Sookmyung Women’s University) ,  Kim, Hanchul (Department of Applied Physics and Institute of Advanced Materials and Systems, Sookmyung Women’s University) ,  Koo, Ja-Yong (Corresponding author.)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Abstract Incorporation of carbon (C) atoms in the Si(111)-(7 × 7) surface is investigated by using scanning tunneling microscopy and density-functional theory calculations. C atoms are supplied through thermal dissociation of CO molecules adsorbed on the Si(111)-(7 × 7) surface. One C a...

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참고문헌 (21)

  1. Phys. Rev. Lett. Kim 89 106102 2002 10.1103/PhysRevLett.89.106102 Initial stage of carbon incorporation into Si(001) and one-dimensional ordering of embedded carbon 

  2. Phys. Rev. Lett Kim 94 076102 2005 10.1103/PhysRevLett.94.076102 Two-dimensional carbon incorporation into Si(001): C amount and structure of Si(001)-c(4 × 4) 

  3. Surf. Sci Kim 516 L553 2002 10.1016/S0039-6028(02)02056-3 Formation of atomically flat Si(001) surface with incorporated carbon 

  4. Surf. Sci Castrucci 531 L329 2003 10.1016/S0039-6028(03)00490-4 STM study of acetylene reaction with Si(111): observation of a carbon-induced Si(111)3×3R30? reconstruction 

  5. Phys. Rev. B Pignedoli 69 113313 2004 10.1103/PhysRevB.69.113313 Carbon induced restructuring of the Si(111) surface 

  6. Phys. Rev. Lett Profeta 95 206801 2005 10.1103/PhysRevLett.95.206801 Novel electronically driven surface phase predicted in C/Si(111) 

  7. Surf. Sci Kim 601 694 2007 10.1016/j.susc.2006.10.033 Thermal decomposition of ethylene on Si(111): formation of the Si(111)3×3: carbon structure 

  8. Surf. Sci Scarselli 559 223 2004 10.1016/j.susc.2004.04.024 STM study of Si(111)7 × 7 reconstructed surface carbonization induced by acetylene 

  9. Phys. Rev. Lett Headrick 63 1253 1989 10.1103/PhysRevLett.63.1253 Structure determination of the Si(111):B(3×3)R30? surface: subsurface substitutional doping 

  10. Phys. Rev. Lett Bedrossian 63 1257 1989 10.1103/PhysRevLett.63.1257 Surface doping and stabilization of Si(111) with boron 

  11. Phys. Rev. Lett Lyo 63 1261 1989 10.1103/PhysRevLett.63.1261 Adsorption of boron on Si(111): its effect on surface electronic states and reconstruction 

  12. J. Phys. Chem. C Seo 118 21463 2014 10.1021/jp505971w Adsorption of CO molecules on Si(001) at room temperature 

  13. Phys. Rev. B Koo 52 17269 1995 10.1103/PhysRevB.52.17269 Dimer-vacancy defects on the Si(001)-(2 × 1) and the Ni-contaminated Si(001)-(2 × n) surfaces 

  14. Phys. Rev. Lett Perdew 77 3865 1996 10.1103/PhysRevLett.77.3865 Generalized gradient approximation made simple 

  15. Phys. Rev. B Kresse 54 11169 1996 10.1103/PhysRevB.54.11169 Efficient iterative schemes for ab initiototal-energy calculations using a plane-wave basis set 

  16. Phys. Rev. B Blochl 50 17953 1994 10.1103/PhysRevB.50.17953 Projector augmented-wave method 

  17. Phys. Rev. B Kresse 59 1758 1999 10.1103/PhysRevB.59.1758 From ultrasoft pseudopotentials to the projector augmented-wave method 

  18. J. Vac. Sci. Technol. A Takayanagi 3 1502 1985 10.1116/1.573160 Structural analysis of Si(111)-(7 × 7) by UHV-transmission electron diffraction and microscopy 

  19. Phys. Rev. Lett Tromp 55 2332 1985 10.1103/PhysRevLett.55.2332 High-temperature SiO2 decomposition at the SiO2/Si interface 

  20. Surf. Sci Seo 656 33 2017 10.1016/j.susc.2016.09.007 Adsorption of CO molecules on the Si(111)-(7 × 7) surface 

  21. Nano Lett. Eom 15 398 2015 10.1021/nl503724x Switching the charge state of individual surface atoms at Si(111)-3×3:B surfaces 

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