[논문]실리콘 웨이퍼 공정스텝에서 FTIR에 의한 산소의 측정

김동수; 정원채

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[국내논문] 실리콘 웨이퍼 공정스텝에서 FTIR에 의한 산소의 측정
Measurement of Oxygen by FTIR in Silicon wafer process steps 원문보기

대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2), 2000 June 01, 2000년, pp.68 - 71

김동수 (경기대학교 전자공학과) , 정원채 (경기대학교 전자공학과)

Abstract ▼ AI-Helper

In this paper, we have measured the oxygen contents by FTIR in silicon wafer various process technology(slicing, lapping, polishing). The measured data are also compared with the data of etching process(KOH, Bright etching). Also we have measured the surface morpology in backside silicon wafer after...

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