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제안 방법
- 2㎛ 이하의 pattern에서는 RIE lag에 의한 pattern의 왜곡현상이 심해졌다. 고래서 본 연구에서는 식각 공정을 두 단계로 나눠 진행하게 되었는데, 첫 단계는 Ta의 native oxide 제거를 위해 ion의 역할이 중심이 되도록 0.25㎛의 식각 조건으로 진행한 후 두 번째 단계에서는 측면 passivation 의 강화를 위해 microwave power를 1200W로 향상시켜 radical의 반응을 더욱 촉진시켜 주었으며 두 단계 사이에 5분간 진공을 유지시켜 식각 부산물을 제거하였다. 그리고 각 조건 의 plasma 진단은 Ar actinometry를 이용하여 수행하였다.
- 25㎛의 식각 조건으로 진행한 후 두 번째 단계에서는 측면 passivation 의 강화를 위해 microwave power를 1200W로 향상시켜 radical의 반응을 더욱 촉진시켜 주었으며 두 단계 사이에 5분간 진공을 유지시켜 식각 부산물을 제거하였다. 그리고 각 조건 의 plasma 진단은 Ar actinometry를 이용하여 수행하였다.
- Ch gas를 이용한 식각공정 중 생성되는 부산물인 TaC15의 끓는점(242℃)은 다른 일반적인 Si 공정에서 생기는 부산물보다 높기 때문에 Ta의 식각은 ion에 의한 sputtering이 주요인자로 작용한다고 알려져 있으며 패턴의 미세화에 따른 패턴밀도의 증가와 high aspect ratio에 의해.발생되는 RIE lag 현상을 극복할 수 있는 공정의 개발이 요구되고 있어 본 연구에서는 ECR plasma의 특성을 이용하여 식각을 진행하여 공정조건을 마련해 나갔고, Optical Emission Spectroscopy(OES)룰 이용한 Ar actinometry를 바탕으로 plasma 진단을 수행하였으며 Scanning Electron Spectroscopy(SEM)® 이용하여 Ta 식각 특성을 분석하였다.
- 차세대 노광 마스크의 패턴물칠로 많이 이용되고 있는 Ta 금속막에 높은 aspect ratio의 미세패턴을 형성하기 위하여 Electron Cyclotron Resonance(ECR) plasma를 이용하여 식각 공정을 수행하였다. Ch gas를 이용한 식각공정 중 생성되는 부산물인 TaC15의 끓는점(242℃)은 다른 일반적인 Si 공정에서 생기는 부산물보다 높기 때문에 Ta의 식각은 ion에 의한 sputtering이 주요인자로 작용한다고 알려져 있으며 패턴의 미세화에 따른 패턴밀도의 증가와 high aspect ratio에 의해.
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