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제안 방법
- Eximer laser를 사용하여 낮은 온도에서 p-채널 poly-Si TFTs를 제작하여 negative bias 스트레스와 positive bias stress를 인가하여 특성 변화를 분석하였다. Negative 와 positive bias 스트레스인가 후 gm 값은 드레인 전계에 의한 hot canier(전자)의 산화막내로의 trap 으로 인하여 증가하였다.
- 5><1(产 의 P*를 소오스, 드레인, 게이트 영역에 이온 주입시킨 후 다시 laser annealing을 하였다. PECVD 방법으로 SiO2 막을 7000 A의 두께로 증착하였고, Contact 마스크를 이용하여 소스, 드레인, 게이트의 접촉점을 정의한 후 실리콘이 함유된 알루미늄을 DC magnetron sputtering 하여 전극을 증착한 후 metal 마스 크를 사용하여 전극을 형성하고 450笆에서 1시간 열처리하여 p-채널 다 결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작한 poly-Si TFT's의 전기적 특성은 HP4156 을 사용하여 측정하였고, parameter(gm, S-swing, VQ 값을 추출하였다.
- 제작한 poly-Si TFT's의 전기적 특성은 HP4156 을 사용하여 측정하였고, parameter(gm, S-swing, VQ 값을 추출하였다. S-swinge Vds = -5V일 때의 log&s-μ幽 그래프에서 기울기의 역수로 구했고, 문턱 전압은 Vds= -1, 5, 10V일 때 일정한 전류값은 갖는 게이트 전압으로부터 구했다.
- 게이트산화막은 PECVD (plasma enhanced CVD)방법을 사용하여 450 笆에서 1000 A을 증착하였고, 게이트 전극물질로는 A1 을 사용하였다. 게이트 마스크를 사용하여 게이트 영역층을 정의한 후, 95 keV의 에너지로 2.5><1(产 의 P*를 소오스, 드레인, 게이트 영역에 이온 주입시킨 후 다시 laser annealing을 하였다. PECVD 방법으로 SiO2 막을 7000 A의 두께로 증착하였고, Contact 마스크를 이용하여 소스, 드레인, 게이트의 접촉점을 정의한 후 실리콘이 함유된 알루미늄을 DC magnetron sputtering 하여 전극을 증착한 후 metal 마스 크를 사용하여 전극을 형성하고 450笆에서 1시간 열처리하여 p-채널 다 결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다.
- 본 연구에서는 저압화학 기상중착(LPCVD) 방법으로 550 P에서 500 A 두께의 비정질 실리콘 박막을 quartz 기판 위에 중착하여 활성영역 층으로 사용하였다. 이때 반응 gas로는 100 % SiHj를 사 용 하였으며, 중 착시 진공도는 0.
- 이러한 poly-Si TFT's는 높은 구동전압으로 인하여 hot-carrier, poly-Si 박막내의 defect state 생성둥 의 전기적 특성 열화현상이 신뢰성 문제에 심각한 문제로 대두되고 있다, 또한 AMLCDs를 위한 poly-Si TFT 제작에 있어서는 높은 공정 온도로 인하여 유리기판이 아닌 높은 가격의 quarz 기판 위에 소자를 제작하고 있는 실정이다. 저온에서 비정질 실리콘 박막을 다 결정 실리콘 박막으로 결정화하는 방법으로 는 600 이하에서의 고상 결정화 (solid phase crystallization, SPC) 방법과 ELA(excimer laser annealing) 등이 제시되고 있는데, 본 논문에서는 excimer laser를 사용한 ELA법을 사용하여 p-채널 poly-Si TFT's 소자를 제작하였고, 이 소자에 positive bias 스트 레스 (Vgs 二- 20V, Vds=-20V) 와 negative bias 스트레스(Vgs=20V, Vds드-20V)를 인가하여 소자 특성 변화 메카니즘을 규명하였다.
- PECVD 방법으로 SiO2 막을 7000 A의 두께로 증착하였고, Contact 마스크를 이용하여 소스, 드레인, 게이트의 접촉점을 정의한 후 실리콘이 함유된 알루미늄을 DC magnetron sputtering 하여 전극을 증착한 후 metal 마스 크를 사용하여 전극을 형성하고 450笆에서 1시간 열처리하여 p-채널 다 결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 제작한 poly-Si TFT's의 전기적 특성은 HP4156 을 사용하여 측정하였고, parameter(gm, S-swing, VQ 값을 추출하였다. S-swinge Vds = -5V일 때의 log&s-μ幽 그래프에서 기울기의 역수로 구했고, 문턱 전압은 Vds= -1, 5, 10V일 때 일정한 전류값은 갖는 게이트 전압으로부터 구했다.
- 3 Torr, SiH4 유입량은 60 seem (standard cubic centimeter), 증착률은 34 A/min로 유지하였다. 증착된 비정질 실리콘을 laser annealing을 사용하여 다 결정 실리콘으로 결정화시킨 후 active 마스크를 이용하여 활성영역 층을 정의하고 건식 식각 방법으로 다 결정 실리콘 박막을 식각하였다. 게이트산화막은 PECVD (plasma enhanced CVD)방법을 사용하여 450 笆에서 1000 A을 증착하였고, 게이트 전극물질로는 A1 을 사용하였다.
대상 데이터
- 증착된 비정질 실리콘을 laser annealing을 사용하여 다 결정 실리콘으로 결정화시킨 후 active 마스크를 이용하여 활성영역 층을 정의하고 건식 식각 방법으로 다 결정 실리콘 박막을 식각하였다. 게이트산화막은 PECVD (plasma enhanced CVD)방법을 사용하여 450 笆에서 1000 A을 증착하였고, 게이트 전극물질로는 A1 을 사용하였다. 게이트 마스크를 사용하여 게이트 영역층을 정의한 후, 95 keV의 에너지로 2.
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