[논문]원자층 증착 방법으로 증착된 실리콘 질화막의 특성

원자층 증착 방법으로 증착된 실리콘 질화막의 특성
The characteristics of silicon nitride thin films deposited by atomic layer deposition method 원문보기

김혁 (한밭대학교 재료공학과) , 이주현 (한국과학기술원 재료공학과) , 이연승 (한밭대학교 멀티미디어공학과) , 이원준 (세종대학교 신소재 공학과) , 나사균 (한밭대학교 재료공학과)

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원료기체들은 pulse 형태로 반응관 내에 공급되었고, 원료기체 공급 사이에 N2 Pging과 pumping을 2회씩 반복하였다. 또한 촉매로서 pyridine을 원료기체와 함께 공급하고 그 효과를 조사하였다. 증착된 박막의 두께 및 굴절률은 ellipsometer를 이용하여 측정하였고, 성분은 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 분석하였다.
본 연구에서는 ALD방법의 생산성을 향상시키기 위해 batch type 반응관을 채용하였고, 이를 이용하여 SiHcon nitride 박막을 증착하였다. Si 및 N의 원료기체로는 각각 SiCLt와 NH3를 선택하였다.
또한 촉매로서 pyridine을 원료기체와 함께 공급하고 그 효과를 조사하였다. 증착된 박막의 두께 및 굴절률은 ellipsometer를 이용하여 측정하였고, 성분은 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 분석하였다.

본 연구에서는 ALD방법의 생산성을 향상시키기 위해 batch type 반응관을 채용하였고, 이를 이용하여 SiHcon nitride 박막을 증착하였다. Si 및 N의 원료기체로는 각각 SiCLt와 NH3를 선택하였다. 원료기체들은 pulse 형태로 반응관 내에 공급되었고, 원료기체 공급 사이에 N2 Pging과 pumping을 2회씩 반복하였다.

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