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제안 방법
- 본 연구에서는 rf 마그네트론 스퍼터링을 통해서 flexible 기판위에 전고상의 전기변색소자를 제 작하였다 (그림 1). 환원 착색 물질로는 텅스텐 산화물, 산화 착색 물질로는 니켈 산화물을 각각 사용하였고 전해질 내에서 안정한 변색 특성을 유지하기 위해 탄탈룸 산화물을 protective layer로 사용하였다.
- 환원 착색 물질로는 텅스텐 산화물, 산화 착색 물질로는 니켈 산화물을 각각 사용하였고 전해질 내에서 안정한 변색 특성을 유지하기 위해 탄탈룸 산화물을 protective layer로 사용하였다. 소자를 제작하기에 앞서 각 산화물층의 구조적인 특성은 X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM)을 통해 관찰하였고 전기화학적 특성은 cyclic voltammetry, chronoamperometry 등을 통해 분석하였으며, 동시에 He-Ne laser (633 nm)를 사용하여 각 산화물층 및 소자의 전기 변색 특성을 측정하였다.
대상 데이터
- 본 연구에서는 rf 마그네트론 스퍼터링을 통해서 flexible 기판위에 전고상의 전기변색소자를 제 작하였다 (그림 1). 환원 착색 물질로는 텅스텐 산화물, 산화 착색 물질로는 니켈 산화물을 각각 사용하였고 전해질 내에서 안정한 변색 특성을 유지하기 위해 탄탈룸 산화물을 protective layer로 사용하였다. 소자를 제작하기에 앞서 각 산화물층의 구조적인 특성은 X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM)을 통해 관찰하였고 전기화학적 특성은 cyclic voltammetry, chronoamperometry 등을 통해 분석하였으며, 동시에 He-Ne laser (633 nm)를 사용하여 각 산화물층 및 소자의 전기 변색 특성을 측정하였다.
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