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제안 방법
- 이때 도핑 농도를 살펴보면 기판 도핑농도는 1.75xl017cm-3z shallow n+/p+ SDE 영역은 6.25x 10i9cm*3z deep n+/p+ DSD 영역은 9.25xlO2ocm"3을 도핑하였고, halo doping profile은 3.75 x lORm; 을 도핑하였다. 각각의 게이트 길이에 대해 드레인 전압 Vd= 0.
- 본 논문에서는 ISE-TCAD를 사용하여 모의 실험을 하였으며 이 프로그램에서 문턱 전압을 구하는 방법에는 세 가지 방법이 있다. 첫째, 드레인 전류가 미터당 0.
- 본 논문에서는 게이트 길이 lOOnm MOSFET 소사를 generalized scaling을 사용하여 게이트 길이 30nm까지 스케일링하여 모의 실험 하였다. 이때 각 게이트 길이에 대한 문턱 전압 관계를 가지고 스케일 이론의 한계를 고찰하였다.
- 본 논문에서는 일반화된 스케일링 이론에 의해 채널길이에 따라 MOSFET를 스케일링하였다. 나노 채널 MOSFET소자에서 QM 효과를 적용시킨 경우 문턱 전압은 QM 효과를 적용시키지 않을 때보다 높은 문턱 전압을 갖는다는 것을 알 수 있었다.
- 본 논문에서는 게이트 길이 lOOnm MOSFET 소사를 generalized scaling을 사용하여 게이트 길이 30nm까지 스케일링하여 모의 실험 하였다. 이때 각 게이트 길이에 대한 문턱 전압 관계를 가지고 스케일 이론의 한계를 고찰하였다.
대상 데이터
- 사용된 소자의 구조는 shallow n+/p+ SDE 영역, deep n+/p+ 소스-드레인 영역(DSD) 그리고 SDE 주변을 둘러싼 halo doping profile로 구성되어 있다.[3]
이론/모형
- 그림 5는 산화막 두께가 2nm일 때 문턱 전압의 변화를 모의 실험한 결과를 도시한 것이다. 이때 각 게이트 길이에서의 도핑 농도는 Constant Field Scaling을 적용하여 도핑하였다. 산화막의 두께를 일정하게 유지시킬 경우 문턱 전압의 변화는 산화막을 스케일링할 때 보다 작은 변화를 보여 주었다.
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