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[국내논문] AttPSM을 사용하는 Metal Layer 리토그라피공정의 Overlay와 Side-lobe현상 방지
Overlay And Side-lobe Suppression in AttPSM Lithography Process for An Metal Layer 원문보기

한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집, 2002 July 01, 2002년, pp.18 - 21  

이미영 (상명대학교 컴퓨터시스템공학과) ,  이흥주 (상명대학교 컴퓨터시스템공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

As the mask design rules get smaller, the probability of the process failure becomes higher due to the narrow overlay margin between the contact and metal interconnect layers. To obtain the minimum process margin, a tabbing and cutting method is applied with the rule based optical proximity correcti...

AI 본문요약
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문제 정의

  • 하지만, 지금까지 위에서 언급한바와 같이, metal과 contact layer에 대하여 두 가지 문제를 동시에 해결하려는 시도는 없었다. 논문에서는 두 문제를 동시에 해결하면서, iso와 dense pattern 모두에 효과적인 방법을 제시한다. Aerial image simulatiorr을 통해 추출한 rule을 rule-based OPC에 적용하여 DOF를 향상시키면서, overlap 불량과 side-lobe현상을 방지한다.

가설 설정

  • . Dense pattern에서 side-lobe 발생여부.
  • × : side-lobe 발생 안 함.
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