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Cu 박막 CMP 공정중 슬러리 첨가제에 따른 특성 평가
The Effects of Additives in Cu CMP slurry on Polishing 원문보기

한국마이크로전자및패키징학회 2001년도 추계 기술심포지움, 2001 Nov. 01, 2001년, pp.230 - 234  

박점용 (한양대학교 금속재료공학과) ,  홍의관 (한양대학교 금속재료공학과) ,  엄대홍 (한양대학교 금속재료공학과) ,  박진구 (한양대학교 금속재료공학과)

초록
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본 연구에서는 Alumina(A1$_2$O$_3$) based Slurry를 이용하여 CU CMP를 할 때 첨가제의 영향을 Removal rate와 Etch rate 측면에서 조사하였다. 각각의 첨가제의 종류와 조성의 변화에 따라 Polishing에 미치는 영향을 연구하였다. Cu의 Removal rate는 Etch rate와 달리 Organic acid의 종류에 직접적으로 영향을 받는다. Citric acid는 높은 Removal rate와 슬러리 내에서 안정성이 가장 좋은 결과를 보이고 있다. Citric acid의 농도가 증가하면 증가할수록 Removal rate는 증가하였다. BTA의 농도에 따라서 Cu의 Removal rate와 Etch rate의 감소를 확인할 수 있다. EDTA의 농도에 따라서는 증가함을 볼 수 있다.

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