[논문]Measurement of Interface Trapped Charge Densities <tex> $(D_{it})$</tex> in 6H-SiC MOS Capacitors

Lee, Jang Hee; Na, Keeyeol; Kim, Kwang-Ho; Lee, Hyung Gyoo; Kim, Yeong-Seuk

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대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications, 2004 Summer, 2004년, pp.343 - 347

Lee, Jang Hee (School of Elecronic and Computer Engineering, Chungbuk National University) , Na, Keeyeol (School of Elecronic and Computer Engineering, Chungbuk National University) , Kim, Kwang-Ho (Dept of Semiconductor Engineering, Chongju University) , Lee, Hyung Gyoo (School of Elecronic and Computer Engineering, Chungbuk National University) , Kim, Yeong-Seuk (School of Elecronic and Computer Engineering, Chungbuk National University)

Abstract ▼ AI-Helper

High oxidation temperature of SiC shows a tendency of carbide formation at the interface which results in poor MOSFET transfer characteristics. Thus we developed oxidation processes in order to get low interface charge densities. N-type 6H-SiC MOS capacitors were fabricated by different oxidation processes: dry, wet, and dryreoxidation. Gate oxidation and Ar anneal temperature was $1150^{\circ}C.$ Ar annealing was performed after gate oxidation for 30 minutes. Dry-reoxidation condition was $950^{\circ}C,$ H2O ambient for 2 hours. Gate oxide thickness of dry, wet and dry-reoxidation samples were 38.0 nm, 38.7 nm, 38.5 nm, respectively. Mo was adopted for gate electrode. To investigate quality of these gate oxide films, high frequency C- V measurement, gate oxide leakage current, and interface trapped charge densities (Dit) were measured. The interface trapped charge densities (Dit) measured by conductance method was about $4\times10^{10}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry and wet oxidation, the lowest ever reported, and $1\times10^{11}[cm^{-1}eV^{-1}]$ for dry-reoxidation

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