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혼합 연마제 슬러리를 이용한 Oxide CMP 특성에 관한 연구
A Study on the Oxide CMP Characteristics of using Mixed Abrasive Slurry(MAS) 원문보기

대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 A, 2006 July 12, 2006년, pp.601 - 602  

이성일 (대불대학교) ,  박성우 (대불대학교) ,  이우선 (조선대학교) ,  서용진 (대불대학교)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Chemical mechanical polishing (CMP) technology has been widely used for global planarization of multi-level interconnection for ULSI applications. However, the cost of ownership and cost of consumables are relatively high because of expensive slurry. In this paper, we studied the mixed abrasive slur...

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제안 방법

  • 1 은 본 CMP 공정에 적용된 공정변수를 요약한 것이다. CMP 후의산화막 두께는 K-MAX사의 ST-2000를 사용하였고, Malvem 사의 제타전위 측정기를 이용하여 입도 분석을 실시하였다. Post-CMP Cleaning은 NH40H : H2O2 : 氏0 = 1 : 2 : 7의 비율로섞인 SC-1 케미컬에 3분간 담금질(dipping) 한 후 1 : 10의 DHF 용액에 2분간 클리닝한 후, 4분 동안 초음파 세척하는 시퀀스를 적용하였다.
  • CMP 후의산화막 두께는 K-MAX사의 ST-2000를 사용하였고, Malvem 사의 제타전위 측정기를 이용하여 입도 분석을 실시하였다. Post-CMP Cleaning은 NH40H : H2O2 : 氏0 = 1 : 2 : 7의 비율로섞인 SC-1 케미컬에 3분간 담금질(dipping) 한 후 1 : 10의 DHF 용액에 2분간 클리닝한 후, 4분 동안 초음파 세척하는 시퀀스를 적용하였다.
  • 특중], 고가의 슬러리가 차지하는 비중이 40 % 이상을 넘고 있어, 슬러리 원액의 소모량을 줄이기 위한 연구들이 현재 활발히 연구 중이다. 본 논문에서는 실리카 슬러리를 탈이온수(de-ionized water; DIW)에 희석하고 세 가지 종류의 연마제를 첨가한 후 슬러리의 pH 변동에 대해 1차적으로 살펴보고, ZrO2, CeO2, MnCh 연마제를 각각 &t%, 3wt%, 5wt%첨가하여 산화막에 대한 CMP 특성을 알아보았다[7, 8].
  • 본 실험에서는 KOH-Based 퓸드 실리카 슬러리에 탈이온수를 1:10 으로 희석한 후 CeO2, MnO2, Zrd를 각각 lwt%, 3wt%, 5wt% 첨가하여 CMP 연마율 및 비균일도를 비교 분석하였다. 슬러리의 희석과 연마제 첨가 시 연마 입자가 용액 중에 고르게 퍼지도록 하기 위해 그림 1의 (a)에 나타낸 초음파 분산기를 이용하였으며, 혼합된 슬러리의 노화 현상 (aging effect) 및 침전을 방지하기 위해 연마하기 전에 (b)의 교반기를 사용하여 2분동안 슬러리를 중분히 교반시켜 주었다.
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